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无损缓冲电路 有损 缓冲电路 由S移出 Ui、RL S、Rs 热 ？ 无损缓冲电路 3 无损关断缓冲电路 与RCD并联缓冲相似 Buck例 关断过程 无损关断缓冲电路 开通过程 Ui、D3、L1、C1、C2回路串联谐振 否则D1、D2导通 ★ 最小导通时间≥谐振周期 ★ 开通最大附加电流 无损关断缓冲电路另一种形式 自行分析 无损开通缓冲电路 与RLD串联缓冲相似 ★ 在最小关断时间内应保证次级电流回零，剩余能量为零 ★ 关断最大附加电压 N2不能过小 应用实例： ZC on + ZV off 变压器隔离变换器的缓冲电路 关断过程 开通过程 否则经N1、Ui、D2、Ls回路放电 当N2电流= 0时 T、D2、Ls、Cs回路谐振，当 D1导通，Ls、Cs能量回馈 按 速率下降到 0 最终 漏感 ★ 除一般无损缓冲意义外，吸收 漏感能量，防止开关器件过压 Flyback 例 变压器隔离缓冲电路 参数选取： ★ 关断时，Cs、La能量守恒转移到Cs ★ Ls由最小导通时间≥谐振周期确定 小结 1 IGBT的结构 IGBT N区体电阻 IGBT — Insulated Gate Bipolar Transistor §3-4 绝缘栅双极晶体管 静态特性： IGBT的特性 ★ 转移特性 ★ 输出特性 饱和区 ★ 饱和电压特性 2 动态特性： 钳位效应：与MOSFET相似 拖尾电流MOS已经关断，IGBT存储电荷释放缓慢 ★ IGBT的擎住（Latch）效应 SCR ★ 静态擎住 ★ 动态擎住 ★ 过热擎住 P区体电阻RP引发擎住 关断过急→位移电流 CJ—PN结电容 RG 不能过小，限制关断时间。 RP 及PNP、NPN 电流放大倍数 因温度升高而增大。 （125℃时ICM降至1/2） ★ IGBT的通态特性 ★ IGBT的电流容量 ★ 最大连续电流 IC ★ 最大脉冲电流 ICM ★ 最大开关电流 ILM 规定条件下，可重复开关电流的最大值。 ★ 允许短路电流 ISC ★ IGBT短路状态的失效机理 ★ 失效原因： ★ 短路保护 延时搜索 ①超过热极限：半导体本征温度极限250Co, 短路电流过大使管芯过热。 ② 关断过电压：分布和封装引线电感与短路大电流关断变化。 ③电流擎住效应 基本要求： Ic 较大时，增 IB 可降 Uces； 深度饱和与快速关断相矛盾。 3—过驱动系数 增 IBP- 可加速关断，但电流变化率增大。一般取： §3-5 开关器件的集成驱动电路（Drive Circuit） 1 GTR 基本驱动电路 ☆ D1：UBE+UD2+UD3 = UD1+UCES 贝克钳位电路 UCES = UBE+UD2+UD3 — UD1 = UBE + UD2 （一般取0.7~3V) 使GTR集电结反偏或零偏—准饱和 ☆ D1应为快恢复管，D2、D3为普通管 集成驱动电路 ★ EXB356：150A/600V；IBP=+3A/-3.4A、 IIN= 3~9mA EXB356 (富士 · 日) UAA4002 (汤姆逊 · 法) M57950 (三菱 · 日) 驱动电路的设计原则 — 安全+低耗+快速 ★ 隔离：光电耦合、光纤、脉冲变压器； ★ 电平适当：+12 ~ 16V / -5 ~ 10V ★ 边沿陡直：tUP、tDn 1μs 电压尖峰 动态擎住 ★ 驱动回路短、回路阻抗小、驱动功率足 PMOSFET IGBT 2 IR2110、2235集成驱动电路 自举过程 驱动供电方式 最短导通时间限制 电流检测方式 P45~51 EXB840/841高速型厚膜驱动电路（富士） ★ EXB840：150A/600V、 75A/1200V；40kHz、延迟1μs、25mA EXB841：400A/600V、300A/1200V；40kHz、延迟1μs、47mA C 非滤波，吸收电源线 阻抗变化引起的电压波动 桥臂直通、ic(近似∝uce)过大、T℃过高 Uce↑ 允许短路时间5～30μs 延时搜索/缓降栅压 “0”强迫-5V封锁 M57962AL厚膜驱动电路（三菱） 短路检测时间：P2-P4间电容1000~8000p 对应3~6μS ★ 600A/600V、400A/1200V；20kHz、延迟1μs、500mA