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数字电路与系统 第十章 脉冲波形的产生和整形 Part 2 第十章@第五版 习题 第五版 10.4; 10.6; 10.9; 10.10 10.8; 10.11; 10.13; 10.15 10.17; 10.18; 10.19; 10.22; 10.26 第四版 6.3; 6.6; 6.9; 6.10 6.11; 6.12; 6.14; 6.16 6.18; 6.20; 6.25; 6.29; 6.31 §6.3 多谐振荡器 对称式多谐振荡器 非对称式多谐振荡器 环形多谐振荡器 用施密特触发器构成的多谐振荡器 石英晶体多谐振荡器 Multi-Vibrator [vai’breit] 所谓“多谐” harmonious §10.4 多谐振荡器 对称式多谐振荡器 §10.4.1 对称式多谐振荡器 (1) 静态（无稳态电路） G1和G2分别被反馈电阻偏置到放大状态，输入电压有极微小的扰动，就会引起自激振荡。 §10.4.1 对称式多谐振荡器 (1) 静态（无稳态电路） G1和G2分别被反馈电阻偏置到放大状态，输入电压有极微小的扰动，就会引起自激振荡。 §10.4.1 对称式多谐振荡器 (2-1) 从不稳定平衡态到暂稳态的状态转换 §10.4.1 对称式多谐振荡器 (2-2) 暂稳态 ——电路等效 C1充电的等效电路 §10.4.1 对称式多谐振荡器 (2-2) 暂稳态电路等效（续） C2放电的等效电路 §10.4.1 对称式多谐振荡器 (2-3)两个暂稳态之间的状态转换 §10.4.1 对称式多谐振荡器 (2-4) 各点电压的波形 §10.4.1 对称式多谐振荡器 (3) 定量计算：振荡周期 §10.4 多谐振荡器 非对称式多谐振荡器 G1被偏置在转折区，则其输出馈入G2的输入，也将G2偏置到转折区。 讨论：振荡电路对储能元件的要求 注意保护电阻… §10.4.2 非对称式多谐振荡器 §10.4 多谐振荡器 环形多谐振荡器 §10.4.3 环形多谐振荡器 附加RC充放电延迟环节 加入积分器，在工作状态…RC的充放电情况 问题… 改进，对C能够“大幅度（压降）”地充放电， §10.4.3 环形多谐振荡器 §10.4.3 环形多谐振荡器 频率可调范围：…； 缺点：对于TTL与非门，R一般 1k Ohm左右，不能过大； 改进电路 电路中增加一级射级输出； 缓冲隔离，可扩大R的取值范围到10kΩ 频率调节范围扩大10倍 §10.4 多谐振荡器 用施密特触发器构成的多谐振荡器 §10.4 多谐振荡器 石英晶体多谐振荡器 课程信息 讲师：李峭 新主楼 F-710 e-Mail: liqbuaa@ee.buaa.edu.cn（可预约答疑） 教辅 23班：杜毓青 （新主F-711） 24班：于树沅 （新主F-711） 25班：王 硕 （新主F-712） * * §10.1 概述 §10.2 施密特触发器 §10.3 单稳态触发器 §10.4 多谐振荡器 §10.5 555定时器电路 目录 Part 02 1 1 RF2 vO1 vO2 RF1 C2 C1 1 RF1 G1 由叠加原理 （由教材 第三版、第四版） 1 RF1 G1 由叠加原理 其实不用这么费解，… §10.4.1 对称式多谐振荡器 静态工作点P，电压放大倍数 反相器传输特性曲线 外电路负载特性曲线 vI轴的截距 vI轴- vO轴 的斜率 ~~~~~~~~~~~~~~~~~~~ ~~~~~~~~ 转折区 线性区 对于74系列门电路，RF的阻值应取0.5k~1.9k vO1 ↓L， vO2 ↑ H；进入第一个暂稳态，同时电容C1开始充电，C2开始放电 如何观察到所谓的“充”、“放”电？ 根据 逻辑门的输入输出的设计（输入阻抗大，输出阻坑小）， 所以，从输出级“找电源”。 对于输入级的处理，电流是否可以被忽略？ 戴维南定理等效得： 由于C1经过R1和RF2两条支路充电，充电速度较快，vI2首先到达G2的阈值VTH，引起了正反馈 vO1 ↑ H ， vO2 ↓L ；进入第二个暂稳态，同时电容C2 开始充电， C1开始放电 第二 第一 第一个暂稳态的持续时间T1等于vI2从C1开始充电到上升到VTH的时间 由于电路完全对称，总振荡周期T=2T1 CMOS门电路构成的非对称式多谐振荡器 随着C的放电，vI1下降，当vI1=VTH，引起 由于某种原因使得vI1有微小正跳变时，发生正反馈 使得vO1?低，vO2?高，进入第一个暂稳态，同时C开始放电 使得vO2?低，vO1?高，进入第二个暂稳态， 同时C开始充电, 当vI1=VTH电路返回到vO1低，vO2高，又回到第一个暂稳态 思考：如何确定