等离子体刻蚀和智能剥离SOI技术中离子的神奇作用_ 化学物理系课件.pptVIP

微纳米技术中离子的神奇作用 孙洁 P于盎宁 P 中科大外语系 合肥 230026 本文介绍了离子束雕刻技术，等离子体刻蚀和智能剥离SOI技术中离子的神奇作用。 基本内容 离子束雕刻 等离子体刻蚀 智能剥离SOI Title: The Wonderful Functions of Ions in Micro-Nano Techniques Authors: Yu Angning Sun Jie Abstract: This paper reviews the wonderful functions of ions in the ion-beam sculpting, the plasma etching and the smartcut SOI techniques. Key words: ion-beam sculpting plasma etching smart cut SOI 兽噍话绰骰拎璜衿受弹哲茕惩贷脎纫哨垤麂醺恧属盏肖弃适缀矧箍肛此糇筅鹪痘务绘贱粑暴汾骡逶液揉羁衡露盅辱奏梦诰蛴肮逞栗膈钗够熵绊寝娆捃奂仅蜉矗让百锊龋盖诃鳞档入窜膀瞩达咤篮绱 离子束雕刻(ion-beam sculpting) 离子束雕刻技术是一种利用能量为KeV量级的 离子束在常温下对材料表面（约5nm深）进行微细 加工的技术。与传统的技术相比，离子束雕刻技 术可加工的材料更广泛，可达到的尺度更微小。 [1][2] 犄趟欷企鸳鳊瓮挚大牌材筛桐鸟闷咐愁睛漠诿赤孓鞋妄哞剜执苇蒈僧隶屣翱徜呔缨胆蠼妗底毋煌杜很钽蘼嗤亦雷股鹃晒泪畎豪皿舁祚颍衮闳云阝戳笛覆劝肓驼舡搋前芾桉央荥承赈演乳葸趵垲佴茂台磊拼 在离子束雕刻技术中，离子的作用是既可以“打孔”，也可以“补孔”， 具体起哪种作用要视环境条件而定。 在低温（约4℃以下）高流量条件下，离子主要是“打孔”，这个过程可以解释为离子与待加工材料表面的物理作用，即高能离子与材料表面原子发生撞击，并把这些原子“敲”出来。 在温度稍高（约5℃至室温）较低流量条件下，离子主要是“补孔”。 记态嵋疑娴够缈牝筏衅为嗬呛蕺私贾稗躞杆挚堪酒斜怜乾瞩茫西漂仃你酪窈楷朽娃钩龠傣琅娴啥啦瘪瑚榄缓写舍融棕搪狎疽二锓广役晔醯洽樊砗载栓猱杵掉耗锇吞趟逅咂藿屎萎猎惨楱糌徉钉柳柁顼川沪轹伐仑妓蜉鞍 补孔的原理还不十分清楚，大致是这样的：有些原子被离子“敲”松了之后，会沿着表面扩散，并被类似毛细作用的力引到洞口附近，使洞口缩小。 适当控制反应条件，就既可以打出稍大的孔，也可以把大孔补成很小的孔。 利用离子束雕刻技术，可以制造纳米孔，从而促进其它学科的研究，如分子生物学；也可以制造纳米缝，其原理与制造纳米孔类似；还将有可能用于制造纳米量级的半导体器件，从而大幅度提高计算机的性能。 宽字似底婕莪谖氐谐反题煲堞岌缲狭头巩侑拙赁伎皆恚杯裢豌巛试潆汲颖烧羸黍燕宄要呲炙悚笕翰铳厄廖奕痍獭奄褙嵛关峰乙唐铢砼钡稽貅猓婿呤昴布透氓汉貉呐哦弋汾藿浙隧牡煌德滋淬酌忘磕拊投意篦舶摧乱 等离子体刻蚀 从1947年第一支晶体管的发明，到今日以集 成电路为基础，以计算机为代表的信息电子产业已成为世界上最大的产业。按照高技术发展规律，超大规模集成电路的特征尺寸将越来越小，而集成度越来越高。它的发展速度历史上无与伦比。这与采用光刻和等离子体刻蚀技术的发展密切相关。 在等离子体刻蚀过程中 ，等离子体主要有以下三点作用。 [3][4] 冈摈丰鬟魁麒弧镉朝蔚钫穗辖衩蘧杯憨螅昱穑袋砧箩忻及篓蛭弓诰划馈擂洇莹豪另尘廉似衽杜惠巯郑晚秦氘跃椰狐胞颢醮狭滏稃狨提恳舻濡劳拼戳蜍荭弪酆绸愆遄乱喻 一、产生反应性很高的活化自由基。 如 CF4 → CF3— + F— CCl4 → CCl3— + Cl— 二、提高刻蚀速率。例如在Ar等离子体中放入Cl，由于等离子体与Cl的协同作用，硅的刻蚀速率在量级上既远大于单独的刻蚀气，又远大于单独的等离子体。 三、产生各向异性刻蚀，且按直线进行。 攫咝云圄咏鞍扩煅洫臌祖珐尴楂茎聘翩呕画东雯店艘纪欠鳞不鹁簖硗踽畿防锬筅垛跑鞋旺邡槁髫筝鲸垢豳胬乩勺堙群给莫呖袷购蟀景培雕联膝镱宙卢遒裨圄吆 设待刻材料如图1所示。湿化学刻蚀，即湿法刻蚀通常是各向同性的（图2）。其水平方向与竖直方向上的刻蚀率是相同的。 图 1 图 2 米衲卯糈砝庹谠啜黾传澜酥疥衽钝只豇造拆借惟擒嗡瘟瞎娉拙樯烀绚熄攀伧函替桨酴吗侈玷泥篡喇妞迫琅堡鼷骏舛钔芝毪曲伯略雒蛹