第四节-热电探测器.ppt

1,2 热电探测器件的工作原理：器件吸收入射辐射功率产生温升，温升引起材料各种有赖于温度的参量的变化，监测其中一种性能的变化，来探知辐射的存在和强弱。 热电检测器件的共性： 对热电探测器件的分析分为两步。第一步是按系统的热力学特性来确定入射辐射所引起的温升，这种分析对各种热电探测器件都适用；第二步是根据温升来确定具体探测器件输出信号的性能。 热电检测器件的共性： 一定功率的热辐射照射到探测器表面，一部分功率使器件温度升高，另一部分用于与环境的热交换。热交换的方式有辐射交换和热传导(对流可以忽略)两种形式。 热电检测器件的共性： 当时间足够长时，第二项为零，取第一项实部的幅值即为辐射引起的热探测器的温度增加 ?T=RQCQ=CQ/GQ RQ为热阻 热电检测器件的共性： 当在低频工作时，即w?T1，则 此时，热点检测器件吸收交变辐射能 引起的温升与热导G成反比； 热电探测器的类型 热电探测器件大致分为温差电型、热敏 电阻型、气动型和热释电型四类。 二、温 差 电 偶 温差电偶也叫热电偶，是最早出现的一种热 电探测器件。其工作原理是温差电效应。 二、温 差 电 偶 构成温差电偶的材料，既可以是金属，也可以是半导体。在结构上既可以是线、条状的实体，也可以是利用真空沉积技术或光刻技术制成的薄膜。 实体型的温差电偶多用于测温，称为测温热电偶；薄膜型的温差电堆多用于测量辐射，称为辐射热电偶。 热电偶用于测温： 二、温 差 电 偶 半导体温差电偶的原理性结构图 二、温 差 电 偶 辐射热电偶冷端开路时，开路电压为： Uoc=MΔT 式中，M为比例系数，称塞贝克常数，也称温差电势率，单位为V/℃；ΔT为温度增量。 又 二、温 差 电 偶 真空温差电偶的主要参量有：灵敏度（响应率）R、 响应时间常数τ、噪声等效功率NEP等。 1、温差电偶的响应率为： R＝UL/Φ UL：冷端负载上所产生的电压降。 Φ：入射于探测器的辐射通量。 2、热电偶的响应时间比较长，约为几毫秒到几十毫 秒，因此它只能探测直流状态或低频状态的辐射。 3、热电偶的最小可探测功率决定于噪声，它的噪声 主要是热噪声和温度起伏噪声。 热电堆 热电偶使用注意事项 由半导体材料制成的温差电堆，一般都很脆弱，容易破碎，使用时应避免振动。 额定功率小，入射辐射不能很强，应避免通过较大的电流，一般多为微安级。 检验时，不宜使用欧姆表测量，免得表内电源烧毁元件中的金箔。 工作时环境温度不宜超过60℃。 三、热敏电阻 物理过程：吸收辐射，产生温升，引起材料电阻的变化，导致负载电阻两端电压的变化，从而得到电信号。 三、热敏电阻 1、分类及特点： 2、热敏电阻结构 温度补偿措施 辐射热敏电阻一般是金属封装的 4、热敏电阻的工作电路 工作时，按下图接成桥式电路。图中RT1为接收元件，RT2为补偿元件，R1、R2、R3为普通电阻。对于图b，如果有入射辐射，则热敏电阻的电阻将因温升而产生一微量变化dRT，于是所产生的信号电压为： Us =idRT i：电流 5、新型热敏电阻 除了热敏电阻的测辐射热计外，还有超导测辐射热计、碳测辐射热计和锗测辐射热计等。 超导测辐射热计是利用某些金属或半导体，从正常态变为超导态时，电阻发生巨大变化这一特性来工作的。超导材料多为铌、钽、铅或锡的氮化物，在15～20K时变为超导体。在转变期内的温度仅为几分之一开氏温度，电阻温度系数约每度5000%。但保持住转变期温度，所需的致冷量很大，控制复杂，目前这种探测器还不太可能在实验室外使用。 四、热释电检测器件 压电晶体：当挤压或拉伸时，晶体的两端就会产生不同的电荷。这种效应被称为压电效应。能产生压电效应的晶体就叫压电晶体。水晶（α-石英）是一种有名的压电晶体。 热释电器件是一个以热电晶体为电介质的平板电容器。因热电晶体具有自发极化性质，自发极化矢量能够随着温度变化，所以入射辐射可引起电容器电容的变化，从而可利用这一特性来探测变化的辐射。 1、检测原理： 热电晶体在温度变化时所显示的热电 效应示意图 1、检测原理： 温度恒定时，因晶体表面吸附有来自于周围空气中的异性电荷，而观察不到它的自发极化现象。当温度变化时，晶体表面的极化电荷则随之变化，而它周围的吸附电荷因跟不上它的变化，失去电的平衡，这时即显现出晶体的自发极化现象。所以，所探测的辐射必须是变化的。入射辐射不变化，则无电信号输出。 2、热释电器件的电极结构 3、热释电器件的等效电路 按热释电器件的基本结构，其等效电路可表示为恒流源Is。 热释电器件 因热释电