第四节 MOS场效应晶体管.ppt

微电子元器件与项目训练 授课教师：余菲 第4章 MOS场效应晶体管 教师：余菲 电子邮件：yufei198275@oa.szpt.net 电话讨论主题： 1. MOSFET的结构类型 2. MOSFET工作原理 3. MOSFET的直流与开关频率特性 4. MOSFET的应用 1. MOSFET的结构类型 英文 MOS：metal oxide semiconductor 复习： JFET： junction field effect transistor 分类: 增强型：常断 耗尽型：常通 问题：JFET？其它的表示符号? 通常是耗尽型的 2. MOSFET工作原理 MIS结构反型的原理： MOS的阈值电压: фms是金属和半导体的接触电势差 与金属类型有关（Au,Al,掺杂多晶硅） 与半导体掺杂类型和浓度有关 Qox、Cox分别为氧化层中的电荷量和氧化层电容 NA、xdmax分别为P衬底的掺杂浓度和耗尽区宽度 氧化层电容的影响: 电容增加,控制力加强 浓度的影响 真正设计电路时候的办法 MOS导通状态: MOS临界饱和状态: MOS深度饱和状态: 1.导通条件： VGSVT 2.饱和条件： VGSVT， VDSVGS-VT (VTVGSVDS+VT ) 3.非饱和条件： VDSVGS-VT MOS的直流特性公式与分析 非饱和区电流公式： 饱和电流公式： 器件的工作区域 MOS的跨导： 问题：如何提高跨导？ 1.线性区：提高VDS 2.饱和区：提高VGS 3.器件参数： 特性曲线数据分析： MOS频率、开关特性 MOS的截止频率： (电压增益为1，双极的截止频率为电流增益下降为1/1.41) 提高截止频率： 器件参数：L 小尺寸MOS器件 短沟道效应:阈值电压下降 窄沟道效应:阈值电压增加 4. MOSFET的应用 MOS反相器：MOS开关电路 反相器的含义： NMOS反相器 CMOS 反相器： 口诀: NMOS在下串与并或 PMOS在上串或并与 可以用相似的方法讨论N沟道耗尽型， P沟道增强型，P沟道耗尽型MOSFET的输出特性曲线，它们分别如图8-12（b）~（d）所示。 MOSFET的转移特性曲线 MOSFET是一种电压控制器件，它是利用加在栅极和源极之间的电压来控制输出电流的，这和双极型晶体管用基极电流控制集电极电流是不同的。当MOS晶体管工作在饱和区时，工作电流为IDSS。不同的VGS会引起不同的IDSS。我们将IDSS与VGS之间的关系曲线称为转移特性曲线。 对于N沟增强型MOS管，VT0，VGS0，其转移特性曲线如图（a）所示。 用相似的方法可以得到N沟耗尽型，P沟增强型，P沟耗尽型MOSFET的转移特性曲线，它们分别表示于图（b）~（d）。 线性工作区的伏安特性 增益因子 当VDS很小时，IDS与VDS成线性关系。VDS稍大时，IDS上升变慢，特性曲线弯曲，如图所示。 饱和工作区的伏安特性 当漏-源电压增加到使漏端的沟道夹断时，IDS将趋于不变。其作用像一个电流源，管子将进入饱和工作区。使管子进入饱和工作区所加的漏-源电压为VDsat，它由下式决定： 将上式代入式（8-3）， 可得到饱和工作区的漏-源电流（漏-源饱和电流） 跨导gm 表征在漏－源电压VDS不变的情况下，漏电流IDS随着栅电压VGS变化而变化的程度，反映了外加VGS控制IDS的能力。 单位：电导（1/Ω），常用西门子（S）表示。 跨导标志了MOSFET的电压放大本领， 因为电压增益可表示为： 由上式可知，相同负载的情况下， 跨导越大，电压增益越大。 饱和工作区 线性工作区 跨导与VDS成正比 在不考虑沟道长度调制效应的情况下，跨导与VDS无关。 VDS VGS增大 VGS=VT 0 ID VGS 0 VT ID 问题：从图像上看哪里的饱和跨导最小？ 减小沟道长度可以有效提高最高振荡频率 MOSFET最高振荡频率（功率增益为1） 对于MOSFET，同双极型晶体管一样，可以引进最高振荡频率来说明管子的优值。 N沟道M