第一节 半导体二极管三极管.ppt

第一章 半导体二极管和晶体管 1.1 半导体的基本知识 1.2 半导体二极管 1.2.4二极管电路分析举例 1.2.5 二极管的简易测试 1.3 特殊二极管 1.4 实训：二极管的识别与检测 1.5 晶体管 1.3.4 变容二极管 二极管结电容的大小除了与本身结构和工艺有关外，还与外加电压有关。结电容随反向电压的增加而减小。变容二极管是利用PN结的电容效应，并采用特殊工艺使结电容随反向电压变化比较灵敏的一种特殊二极管，其电路符号和特性曲线如图所示。显然，变容二极管工作在反偏状态。  a）符号 b）伏安特性 1. 实训目的 1）能识别常见二极管的型号和极性。 2）掌握用万用表判断二极管的极性和质量。 2. 实训设备 1）万用表 1台 2）二极管 若干 3. 实训原理 1）根据外观判断二极管的极性 2）用指针万用表检测 3）用数字万用表检测 4. 实训内容与步骤 1.5.1 晶体管的结构和类型 B E C N N P 基极 发射极 集电极 NPN型 P N P 集电极 基极 发射极 B C E PNP型 B E C N N P 基极 发射极 集电极 基区：较薄，掺杂浓度低 集电区：面积较大 发射区：掺 杂浓度较高 B E C N N P 基极 发射极 集电极 发射结 集电结 PNP型和NPN型三极管表示符号的区别是发射极的箭头方向不同， 这个箭头方向表示发射结加正向偏置时的电流方向。 注意 类型 （1）按极性分 （2）按材料分 （3）按频率分 NPN、PNP 锗管和硅管 高频管和低频管 大功率管、中功率管和小功率管 （4）按功率分 放大管、开关管、功率管 （5）按用途分 1.5.2 晶体管的电流放大特性 放大条件 （1）内部条件 前面提到的制造工艺特点。 （2）外部条件 发射结正偏，集电结反偏。 对NPN型三极管来说，必须满足：UBE＞0，UBC＜0，即UC＞UB＞UE。 对PNP型三极管来说，必须满足：UBE＜0，UBC＞0，即UC＜UB＜UE。 B E C N N P EB RB EC IE 基区空穴向发射区的扩散可忽略。 IBE 进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE ，多数扩散到集电结。 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 1. 在杂质半导体中多子的数量与 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。 2. 在杂质半导体中少子的数量与 。 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。 3. 当温度升高时，少子的数量 。 （a. 减少、b. 不变、c. 增多） a b c 4. 在外加电压的作用下，P 型半导体中的电流主要是 ，N 型半导体中的电流主要是 。 （a. 电子电流、b.空穴电流） b a 思考题： 1.2.1二极管的结构和类型 将PN结加上相应的电极引线和管壳，就成为半导体二极管。P区对应的称为阳极（或正极），N区对应的称为阴极（或负极）。 二极管的常见外形 阳极 阴极 结构 符号 类型 按材料分： 硅二极管和锗二极管 按结构分： 点接触型和面接触型 按用途分： 发光管、整流管、稳压管等 按功率分： 按封装分： 金属封装、塑料封装等 大功率管、小功率管 引线 外壳线 触丝线 基片 点接触型 PN结 面接触型 1.2.2 二极管的伏安特性 下图为硅二极管和锗二极管的伏安特性。其中实线部分为硅管特性。 1、 正向特性 当正偏电压很小时，正向电流很小，这时二极管实际上没有导通，呈现很大的电阻，这部分正向特性称为死区。只有当正向电压达到一定值（这个值称为死区电压）后，正向电流按指数规律增大，二极管处于导通状态。室温下，硅管的死区电压约为0.5V，锗管的死区电压约为0.1V。 二极管导通后曲线陡直，表明二极管导通时呈现电阻很小，电流变化范围很大，而其两端电压变化很小。二极管充分导通时的两端电压称为导通电压，硅管的导通电压约为0.6～0.7V，锗管的导通电压约为0.2～0.3V。 2、反向特性 反向电压在相当大的变化范围内，反向电流数值很小，管子处于反偏截止状态，呈现电阻很大，且当环境温度不变时，反向电流几乎不变，该电流称为二极管的反向饱和电