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2013年4月考试电力电子技术第三次作业一、判断改错题(本大题共20分,共 5 小题,每小题 4 分)1. 在一定的条件下,同一套可控整流电路既可工作在整流状态,又可工作在逆变状态,这种整流电路称为变流电路。( )2. 为使导通的晶闸管可靠关断,应采取措施让阳极电流IA小于晶闸管的擎住电流IL。( )3. 为了防止逆变失败,逆变角β不能太大,逆变角β的最大值必须加以限制。( )4. 逆变角β和控制角α的关系满足α+β=π2 。( )5. 变压器漏感的影响会使变流电路的整流输出电压平均值降低,输出电压波形出现缺口。( )二、名词解释题(本大题共10分,共 2 小题,每小题 5 分)1. 什么是电力公害?2. 同步三、作图题(本大题共20分,共 1 小题,每小题 20 分)试画出如图1所示三相变压器的钟点数。四、计算题(本大题共10分,共 1 小题,每小题 10 分)单相交流调压,阻感负载,UF=220V, L=5.5mH, R=1 求:移相角 =?最大负载电流有效值I=?最大输出功率Pmax=?五、简答题(本大题共30分,共 5 小题,每小题 6 分)1. 什么是GTR的二次击穿现象以及二次击穿的危害。2. 提高功率因数的办法很多,大体也可分成哪两个类型?3. 比较电力电子技术和微电子技术的相同点和不同点。4. 换流方式共有几种?其特点各是什么?5. 什么是电压型逆变电路?什么是电流型逆变电路?二者各有什么特点?六、分析题(本大题共10分,共 1 小题,每小题 10 分)试分析如图2所示单相并联逆变电路的工作原理。???? 答案:一、判断改错题(20分,共 5 题,每小题 4 分)1. 参考答案:对解题方案:评分标准:2. 参考答案:错 为使导通的晶闸管可靠关断,应采取措施让阳极电流IA小于晶闸管的维持电流。解题方案:评分标准:3. 参考答案:错 为了防止逆变失败,逆变角β不能太小,逆变角β的最小值必须加以限制解题方案:评分标准:4. 参考答案:错 α+β= π解题方案:评分标准:5. 参考答案:变压器漏感的影响会使变流电路的整流输出电压平均值降低,输出电压波形出现缺口。( )解题方案:评分标准:二、名词解释题(10分,共 2 题,每小题 5 分)1. 参考答案:电力公害是指使用电力电子装置时存在着网侧功率因数低、谐波电流和电磁干扰严重等问题。解题方案:评分标准:2. 参考答案:同步是指触发脉冲信号和晶闸管上所加的电源电压不仅频率相同,而且要保持固定的相位关系,从而使晶闸管在每一个周期都能在同一相位上触发,也即必须保持各周期中的控制角α不变。解题方案:评分标准:三、作图题(20分,共 1 题,每小题 20 分)0. 参考答案:解题方案:评分标准:四、计算题(10分,共 1 题,每小题 10 分)0. 参考答案:解题方案:评分标准:五、简答题(30分,共 5 题,每小题 6 分)1. 参考答案:当GTR的集电极电压升高至前面所述的击穿电压时,集电极电流迅速增大,这种首先出现的击穿是雪崩击穿,被称为一次击穿。出现一次击穿后,只要Ic不超过与最大允许耗散功率相对应的限度,GTR一般不会损坏,工作特性也不会有什么变化。但是实际应用中常常发现一次击穿发生时如不有效地限制电流,Ic增大到某个临界点时会突然急剧上升,同时伴随着电压的陡然下降,这种现象称为二次击穿。二次击穿常常立即导致器件的永久损坏,或者工作特性明显衰变,因而对GTR危害极大。解题方案:评分标准:2. 参考答案:大体也可分成:一、补偿法;二、校正法。因为补偿法通过无源或有源滤波器抑制谐波,提高畸变因数可以提高功率因数;此外,通过无功发生器为网侧注入适量无功功率,减小滞后角 ,进而使功率因数提高。而功率因数校正法着眼于各种变换电路自身的改进,使其尽量不产生谐波电流而且不消耗无功功率,或根据需要对其功率因数进行校正或适当控制,使网侧电流尽量达到正弦化。解题方案:评分标准:3. 参考答案:相同点:电力电子技术和微电子技术是现代电子技术的两个分支。不同点:(1)微电子技术主要用于信息处理,其在处理小信号的通信、信息测量、控制等领域取得了显著进展。(2)而电力电子技术则主要用于电力变换,是能源变换和控制的基础,是弱电控制强电的桥梁,它拓宽了微电子技术的应用领域,为现代通讯、电子仪器、计算机、工业自动化、电网优化、电力工程、新能源、航天、核能、超导、激光、海洋、生物等各种高新技术提供高性能、高精度、高效率和轻量小型的电控设备、电源设备,
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