2011年微波工程 第1篇 电磁理论.pptVIP

§ 1 电磁理论 麦克斯韦方程 媒质中的场和边界条件 波方程和基本平面波的解 能量和功率 介质分界面上的平面波反射 内容要点 1.2 麦克斯韦方程组以及本构关系 § 1 电磁理论 相量形式： (1.14a) (1.14b) (1.14c) (1.14d) 其中， 本构关系： (1.28a) (1.28b) § 1 电磁理论－边界条件 1.3 边界条件 Figure 1.6 (p. 12)Closed surface S for equation (1.29). (1.31) (1.32) (1.36) (1.37) 1.31 一般材料分界面上的场 Figure 1.7 (p. 13)Closed contour C for Equation (1.33). § 1 电磁理论－边界条件 1.32 介质分界面上的场 在两种无耗介电材料的分界面上，通常没有电荷或面电流密度、磁流密度存在。这样，式（1.31）、（1.32） （1.36） （1.37）可简化为： （1.38a） （1.38b） （1.38c） （1.38d） 结论： 在介质分界面处， § 1 电磁理论－边界条件 1.33 理想导体（电壁）分界面上的场 （1.39a） （1.39b） （1.39c） （1.39d） 切向电场为零，切向磁场不为零的界面（电壁）均可视为等效短路面。 § 1 电磁理论－边界条件 1.34 磁壁边界条件 （1.40a） （1.40b） （1.40c） （1.40d） 切向磁场为零，切向电场不为零的界面（磁壁）均可视为等效开路面。 麦克斯韦方程组与边界条件的结合，是求解电磁场问题的手段！ § 1 电磁理论－边界条件 § 1 电磁理论－波方程 1.4 波方程和基本平面波的解 1.4.1 亥姆霍兹方程 在无源、线性、各向同性和均匀的区域，相量形式的麦克斯韦方程为： （1.41a） （1.41b） 对式（1.41a）取旋度，并应用式（1.41b）可得： 由矢量恒等式： § 1 电磁理论－波方程 （1.42） （1.43） 令 k称为媒质的波数，或传播常数，单位为1/m § 1 电磁理论－平面波 1.4.2 无耗媒质中的平面波 亥姆霍兹方程平面波的基本解。 （1.44） 该方程的解为： （1.45） § 1 电磁理论－平面波 （1.46） 向+z方向传播的波 向-z方向传播的波 相速（phase velocity）： 波传播过程中一个固定相位点的运动速度 （1.47） 波长λ： 波在一个确定的时刻，两个相邻的极大值之间的距离 （1.48） § 1 电磁理论－平面波 将式（1.45）： 代入式（1.41a） （1.49） 其中， 向+z方向传播的波 向-z方向传播的波 可得： § 1 电磁理论－平面波 1.4.3 一般有耗媒质中的平面波(有耗导体和有耗介质) 1.若媒质是导体，电导率为σ，麦克斯韦旋度方程可以写为： （1.50a） （1.50b） （1.51） 类似的，定义复传播常数： （1.52） § 1 电磁理论－平面波 （1.53） 该方程的解为： （1. 54） 正向传输波的时域形式为： 相速（phase velocity）： 波长λ： § 1 电磁理论－平面波 （1. 55） 相关的磁场为： （1. 56） 无耗情况下，波阻抗可以定义为电场与磁场的比值： 式(1.56)可以写为 （1. 57） （1. 58） § 1 电磁理论－平面波 1.4.4 良导体中的平面波 良导体中导电电流远大于位移电流 此时，式(1.52d)的传播常数： （1.52） 可近似为： （1.59） 根据式（1.54）: § 1 电磁理论－平面波 （1.60） 在微波频率下，良导体的趋肤深度非常小。因此，往往只需在导体表面镀上一层很薄的良导体，便能得到低损耗的微波器件。 （1.61） 良导体波阻抗的相位角为45° 无耗材料波阻抗的相位角为45° 任意有耗媒质阻抗的相位角在0 °和45 °之间 这个距离定义为趋肤深度 良导体的波阻抗 § 1 电磁理论－平面波 1.5 平面波的通解 三维情况下的平面波，真空中电场的亥姆霍兹方程可以写为： （1.62） 利用分离变量法可以得到正向传播电场的时域表达式： （1.77） 其中 （1.69） （1.70） § 1 电磁理论－平面波 § 1 电磁理论－平面波 1.6 能量和功率 波印廷定理： （1. 88） § 1 电磁理论－平面波 右边的第一个积分表示由封闭曲面S流出的复功率流P0： 右边的第二个积分和第三个积分是实数量，代表了体积V内消耗掉的时间平均功率Pl： 最后一项积分与电和磁的储能有关。 源携带的功率PS等于通过表面传输的功率P0，体