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12.9 光缆 光纤成缆之后要求光缆: 1. 抗拉力特性 光缆能承受的最大拉力取决于加强构件的材料和横截面 积,一般要求大于1 km光缆的重量 (100~400 kg) 2. 抗压特性 光缆能承受的最大侧压力取决于护套的材料和结构,多数 在100 ~ 400 kg/10 cm 3. 改善温度特性、隔离潮气 4. 要求光缆材料不容易析氢 光缆对光纤特性的影响 1. 改善光纤的温度特性 虚线:光纤自身的特性曲线;实线:成缆后的特性曲线 2. 增加机械强度 由于光缆结构中加入了加 强构件、护套、甚至铠装 层等,因此其断点强度远 大于光纤;不仅如此,光 缆的抗侧压、抗冲击和抗 扭曲性能都有明显增强 3. 成缆的附加损耗 不良的成缆工艺,把光纤制成光缆后,会带来附加损耗, (比如说不良应力造成微弯) 称之为成缆损耗 层绞式 层绞式光缆的结构类似于传统的电缆结构方式,故又称为古 典式光缆。 骨架式 骨架式光缆中的光纤置放于塑料骨架的槽中,槽的横截面可 以是 V形、U 形或其他合理的形状,槽的纵向呈螺旋形或正 弦形,一个空槽可放置5~10根一次涂覆光纤。 束管式 束管式结构的光缆近年来得到了较快的发展。它相当于把松 套管扩大为整个缆芯,成为一个管腔,将光纤集中松放在其 中。 带状式 带状式结构的光缆首先将一次涂覆的光纤放入塑料带内做成 光纤带,然后将几层光纤带叠放在一起构成光缆芯。 作业 12.5、12.9、12.11、12.22、12.24 * * 梯度光纤设计的目的就是为了抵消不同模式在光纤中传输的时间差 * * 光纤折射率分布变化、波导非圆对称、受到非对称的横向应力造成两个简并模式传播常数不同 * * 但是卤化物光纤制作工艺难度较大 * 掺铒光纤放大器大致原理:光激励铒原子产生受激吸收,然后这些原子的自发辐射,且辐射出来的光基本与激励光保持一致 * 多组份玻璃光纤制造通常使用“双坩埚法”。将纤芯用的玻璃料加入铂制 双坩埚的内侧坩埚中,同时将包层用的玻璃料加入此双坩埚的外侧坩埚中, 边熔炼边拉丝。要是在芯料中引入Ta+而在包层料中引入Na+,则能使光纤中 心部分的折射率高于周边部分。若想制成折射率呈平方分布的不均匀光纤, 可在拉丝过程中通过热扩散进行Ta+与Na+的离子交换,而使折射率呈徐缓的 梯度分布,并控制拉丝后的温度下降。 双坩埚法中,不需像制备石英玻璃光纤那样有一道制造光纤预制棒的预备性 工序,可以按1~3m/s的高速拉丝,一次即拉成光纤,因而产量大,成本经济, 但是光纤的损耗较大,最低值约5dB/km。 * 世界上第一根损耗小于20dB/km光纤是由康宁公司按照外部汽相氧化法获得 * 1977年日本开发。不容易形成中心的折射率凹陷和空眼。目前仍然是日本人掌握着这个方法的核心技术。 VAD法是由日本在1977年发展的一种最早以连续工艺制造预制棒的方 法。其工作原理与OCVD法基本相同,但沉积方向由横向改为轴向。这样, 可使沉积工艺,脱水烧结工艺连续进行,理论上可制得极长的预制棒, 而且,该法制备的多模光纤不会形成中心部位折射率凹陷或空眼,因此 其光纤制品的带宽比MCVD法高一些,其单模光纤损耗目前达到0.22-0.4dB/km。 光纤的折射率分布决定于原料气体的空间径向分布,故各种工艺参数要 十分稳定,控制难度较大。此工艺开发初期由于采用火焰加水分解,容易残留有OH基,制成的光纤比起MCVD法制成的光纤有较大损耗。但经过改良, 发展了在多孔质状态下进行脱水处理的技术,已经获得比MCVD法更优良的 低损耗特性。 目前,日本仍然掌握着VAD法的最先进的核心技术,所制得的光纤预 制棒OH基含量非常低,在1385nm附近的损耗小于0.46dB/km。 * 停止供应汽相反应物后并强烈加热使之成为实心棒 * PCVD法是由菲利普研究实验室提出的,于1978年应用于批量生产。它与 MCVD法的工作原理基本相同,只是不用氢氧焰进行管外加热,而是改用微波 腔体产生的等离子体进行加热。PCVD法工艺的沉积温度低于MCVD法工艺的沉积温度,因此反应管不易变形。由于气体电离不受反应管热容量的限制,所以微波加热腔体可以沿着反应管轴向作快速来回移动,目前的移动速度在8m/min, 可以在管内沉积数千个薄包层,从而使每层的沉积厚度减小,因此使光纤折 射率分布的控制更为精确,可以获得更大的带宽。而且,PCVD法的沉积效率 高,沉积速度快,有利于消除包层沉积过程中的微观不均匀性,从而大大降 低光纤中散射造成的本征损耗,适合于制备具有复杂折射率剖面的光纤,可 以批量生产,有利于降低成本。 目前,荷兰的等离子光纤公司占据世界领先水平。 * 光纤成缆的最
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