第一章固态相变基础.pptVIP

有序化转变：是指固溶体组元原子从无序排列到有序排列的转变过程， ?(无序)???(有序) 块状转变：新相的成分与母相一样，但晶体结构不同。例如，纯铁或低碳钢在一定的冷却速度下?相可以转变为与之具有相同成分而形貌 呈块状的?相。新相的长大是通过原子的短程扩散而实现的。 纯铁、铜锌等合金中发生块状转变。 复习思考题 1. 概念：扩散型相变，均匀形核， TTT曲线，吉布斯-汤姆斯效应，Ostwald熟化，瑞利失稳 2. 固态相变与液-固相变有何异同点？ 3. 固态相变的阻力有哪些？怎样影响相变？ 4. 为何新相形成时往往呈薄片状或针状？如果新相呈球状，新、母相之间是否存在位向关系？ 5. 晶体缺陷对固态相变形核有何影响？ 6. 试推导固态相变均匀形核时临界形核半径、临界形核功和形核率的表达式。 7. 温度怎样影响扩散型固态相变速度？ 8. 假设新相附近的溶质原子浓度作线性分布，请推导一维扩散控制长大速度方程。 位错可通过多种形式促进形核： 新相在位错线上形核，可借助于形核位置处位错线消失时所释放出来的能量作相变驱动力，以降低形核功； 新相形核时位错不消失，而是依附在新相界面上，成为半共格界面中的位错部分，补偿了错配，因而降低了界面能，故使形核功降低； 溶质原子在位错线上偏聚（形成柯氏气团），使溶质含量增高，便于满足新相形成时所需的成分条件，使新相晶核易于形成； 位错线可作为扩散的短路通道，降低扩散激活能，从而加 速形核过程； 位错可分解形成由两个分位错与其间的层错组成的扩展位错，使其层错部分作为新相的核胚而有利于形核。 2．位错形核 空位可通过加速扩散过程或释放自身能量提供形核驱动力而促进形核。此外，空位群也可凝聚成位错而促进形核。 空位对形核的促进作用已为很多实验所证实。例如，在过饱和固溶体脱溶分解的情况下，当固溶体从高温快速冷却下来，与溶质原子被过饱和地保留在固溶体内的同时，大量的过饱和空位也被保留下来。它们一方面促进溶质原子扩散，同时又作为沉淀相的形核位置而促进非均匀形核，使沉淀相弥散分布于整个基体中。 3．空位形核 如果将各种形核位置以释放自由能?Gd的增加，即临界形核功?G*减小的顺序排列，其次序大体如下： 均匀形核位置；空位；位错；堆垛层错；晶界或相界；自由表面。 位置越后，形核越快。 相变驱动力不大时，优先在晶界或相界形核； 驱动力较大时，则可能在层错、位错、空位等处形核； 驱动力非常大时，才有可能发生均匀形核。 滑动型界面：共格或半共格界面，靠位错滑动迁移，母相通过点阵切变 完成相变。属非热激活迁移 马氏体转变：半共格界面上母相一侧的原子切变。大量原 子有规则地沿某一方向作小于一个原子间距的迁移，原子相 邻关系不变：属协同型长大。原子迁移距离都小于原子间距， 非扩散型相变 马氏体转变时的切变 及引起的表面倾动 第四节 固态相变中新相的长大 一、新相长大机理 相界面向母相方向的迁移 从相变角度看，界面分为滑动型界面和非滑动型界面 非滑动型界面： 单个原子随机地跳跃过界面，热激活长大、扩散型长大、非协同型长大 扩散型长大时新相与母相的成分： 成分相同：同素异构转变、块状转变等，界面附近原子短程扩散； 成分不同：共析转变、脱溶转变、贝氏体转变等，新相的长大依赖溶质原子在母相点阵中长程扩散。 贝氏体转变：是热激活长大，但具有类似滑动界面迁移所产生的形状改变 共格或半共格界面：迁移率很低，连续长大困难 为实现共格或半共格界面的法向长大，用台阶生长的机制来说明。 强调：这里虽以非协同型相变来讨论，台阶生长 机制也适合于协同型相变。 非协同型长大，共格界面与非共格界面迁移率存在明显差异 　 ?? 非共格界面：迁移率较高，松散、原子跳越容易 因此可以设想，在没有弹性应变能的影响时，为使总的界面能最小，临界晶核由共格或半共格面和非共格界面联合为界，由于非共格界面易迁移，共格或半共格界面难于移动，晶核应当长大成薄的片或盘状。 ??? ??? ? ??? 脱溶、溶解、共析分解、胞状脱溶 脱溶、溶解 脱溶、溶解、贝氏体转变 块状转变、有序化、多形性转变、再结晶、晶粒长大 马氏体转变、孪生 例子 混合控制 主要是扩散控制 主要是界面控制 界面控制 界面控制 界面或扩散控制 长程扩散(通过母相点阵) 短程扩散(越过界面) 无扩散