第1篇_三极管.pptVIP

晶体管的主要参数 * Ch1. 常用半导体器件 * 2. 交流参数 (1) 共基极交流电流放大系数α (2) 共射极交流电流放大系数β 晶体管的主要参数 * Ch1. 常用半导体器件 * 3. 极限参数 (4) 集电极最大允许电流ICM (1) 集电极开路时发射极——基极间反向击穿 电压U(BR)EBO (2) 发射极开路时集电极——基极间反向击穿 电压U(BR)CBO (3) 基极开路时集电极——发射极间反向击穿 电压U(BR)CEO * Ch1. 常用半导体器件 * 不安全区 iC uCE O U (BR)CEO ICM 安全区 (5) 集电极最大允许功率耗散PCM 晶体管的安全工作区 等功耗线PC=PCM =uCE×iC 温度对管子参数的影响 * Ch1. 常用半导体器件 * 1．对β的影响 2．对ICBO的影响 3．对UBE的影响 思 考 题 * Ch1. 常用半导体器件 * 2.如何用万用表判别晶体管的类型和电极？ 3. 晶体管能够放大的内部和外部条件各是什么？ 1. 晶体管的发射极和集电极是否可以调换使用？ 4. 晶体管工作在饱和区时，其电流放大系数是否与其工作在放大区时相同？ Ch1. 常用半导体器件 Ch1. 常用半导体器件 Ch1. 常用半导体器件 1.２　晶体三极管 * Ch1. 常用半导体器件 * 晶体管又称半导体三极管 晶体管是最重要的一种半导体器件之一，它的放大作用和开关作用，促使了电子技术的飞跃。 * Ch1. 常用半导体器件 * 晶体管图片 * Ch1. 常用半导体器件 * 晶体管的结构 * Ch1. 常用半导体器件 * 1. NPN型晶体管结构示意图和符号 (2) 根据使用的半导体材料分为: 硅管和锗管 (1) 根据结构分为: NPN型和PNP型 晶体管的主要类型 晶体管的结构 * Ch1. 常用半导体器件 * N N P 发射区 集电区 基区 发射极E(e) 集电极C(c) 发射结JE 集电结JC 基极B(b) NPN型晶体管结构示意图 晶体管的结构 * Ch1. 常用半导体器件 * NPN型晶体管符号 B (b) E(e) T C(c) N N P 发射区 集电区 基区 发射极E(e) 集电极C(c) 发射结JE 集电结JC 基极B(b) 晶体管的结构 * Ch1. 常用半导体器件 * 2. PNP型晶体管结构示意图和符号 符号 B (b) E(e) T C(c) E(e) 发射区 集电区 基区 P P N C(c) B(b) JE JC 结构示意图 晶体管的结构 * Ch1. 常用半导体器件 * 集电区 E B C 发射区 基区 (1) 发射区小，掺杂浓度高。 3. 晶体管的内部结构特点（具有放大作用的内部条件） 平面型晶体管的结构示意图 晶体管的结构 * Ch1. 常用半导体器件 * (2) 集电区面积大。 (3) 基区掺杂浓度很低，且很薄。 集电区 E B C 发射区 基区 晶体管的工作原理（以NPN型管为例） * Ch1. 常用半导体器件 * 依据两个PN结的偏置情况 放大状态 饱和状态 截止状态 倒置状态 晶体管的工作状态 NPN管的工作原理 * Ch1. 常用半导体器件 * 1．发射结正向偏置、集电结反向偏置——放大状态 原理图 电路图 + – + – 晶体管的工作原理 * Ch1. 常用半导体器件 * (1) 电流关系 a. 发射区向基区扩散电子 形成发射极电流IE 发射区向基区扩散电子 称扩散到基区的发射区多子为非平衡少子 * Ch1. 常用半导体器件 * b. 基区向发射区扩散空穴 基区向发射区扩散空穴 发射区向基区扩散电子 形成空穴电流 * Ch1. 常用半导体器件 * 因为发射区的掺杂浓度远大于基区浓度，空穴电流可忽略不记。 基区向发射区扩散空穴 发射区向基区扩散电子 * Ch1. 常用半导体器件 * c. 基区电子的扩散和复合 非平衡少子在基区复合，形成基极电流IB IB 非平衡少子向集电结扩散 * Ch1. 常用半导体器件 * 非平衡少子到达集电区 d. 集电区收集从发射区扩散过来的电子 形成发射极电流IC IC IB * Ch1. 常用半导体器件 * 少子漂移形成反向饱和电流ICBO e. 集电区、基区少子相互漂移 集电区少子空穴向基区漂移 ICBO 基区少子电子向集电区漂移 IC IB 晶体管的电流分配关系动画演示 * Ch1. 常用半导体器件 * 晶体管共射极接法 * Ch1. 常用半导体器件 * 原理图 电路图 IB IC ICBO 晶体管共射极接法 * Ch1. 常用半导体器件 * 定义 为共射极直流电流放大系数 IB IC ICBO 发射结正偏，集电结反偏，晶体管工作于放大状态。 晶体管共射极接