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1.(2011年高考全国卷)如图,两根相互平行的长直导线分别通有方向相反的电流I1和I2,且I1I2;a、b、c、d为导线某一横截面所在平面内的四点,且a、b、c与两导线共面;b点在两导线之间,b、d的连线与导线所在平面垂直.磁感应强度可能为零的点是( )
·d
A.a点 B.b点
C.c点 D.d点
解析:由于I1I2,且离导线越远产生的磁场越弱,在a点I1产生的磁场比I2产生的磁场要强,A错,同理,C对.I1与I2在b点产生的磁场方向相同,合成后不可能为零,B错.d点两电流产生的磁场B1、B2不共线,合磁场不可能为0,D错.
答案:C
2.(2011年高考浙江理综)利用如图所示装置可以选择一定速度范围内的带电粒子.图中板MN上方是磁感应强度大小为B、方向垂直纸面向里的匀强磁场,板上有两条宽度分别为2d和d的缝,两缝近端相距为L.一群质量为m、电荷量为q,具有不同速度的粒子从宽度为2d的缝垂直于板MN进入磁场,对于能够从宽度为d的缝射出的粒子,下列说法正确的是( )
A.粒子带正电
B.射出粒子的最大速度为
C.保持d和L不变,增大B,射出粒子的最大速度与最小速度之差增大
D.保持d和B不变,增大L,射出粒子的最大速度与最小速度之差增大
解析:利用左手定则可判定只有负电荷进入磁场时才向右偏,故选项A错误.利用qvB=知r=,能射出的粒子满足≤r≤,因此对应射出粒子的最大速度==,选项B正确.vmin==,Δv=vmax-vmin=,由此式可判定选项C正确,选项D错误.
答案:BC
3(2011年高考北京理综)利用电场和磁场,可以将比荷不同的离子分开,这种方法在化学分析和原子核技术等领域有重要的应用.如图所示的矩形区域ACDG(AC边足够长)中存在垂直于纸面的匀强磁场,A处有一狭缝.离子源产生的离子,经静电场加速后穿过狭缝沿垂直于GA边且垂直于磁场的方向射入磁场,运动到GA边,被相应的收集器收集,整个装置内部为真空.
已知被加速的两种正离子的质量分别是m1和m2(m1m2),电荷量均为q,加速电场的电势差为U,离子进入电场时的初速度可以忽略.不计重力,也不考虑离子间的相互作用.
(1)求质量为m1的离子进入磁场时的速率v1.
(2)当磁感应强度的大小为B时,求两种离子在GA边落点的间距s.
(3)在前面的讨论中忽略了狭缝宽度的影响,实际装置中狭缝具有一定宽度,若狭缝过宽,可能使两束离子在GA边上的落点区域交叠,导致两种离子无法完全分离.
设磁感应强度大小可调,GA边长为定值L,狭缝宽度为d,狭缝右边缘在A处.离子可以从狭缝各处射入磁场,入射方向仍垂直于GA边且垂直于磁场,为保证上述两种离子能落在GA边上并被完全分离,求狭缝的最大宽度.
解析:(1)加速电场对离子m1做的功W=qU.
由动能定理得m1v=qU.
所以v1= ①
(2)由牛顿第二定律和洛伦兹力公式得
qvB=,R=.
利用①式得离子在磁场中的轨道半径分别为
R1= ,R2= ②
两种离子在GA边上落点的间距
s=2R1-2R2= (-)③
(3)质量为m1的离子在GA边上的落点都在其入射点左侧2R1处,由于狭缝的宽度为d,因此落点区域的宽度也是d.同理,质量为m2的离子在GA边上的落点区域的宽度也是d.
为保证两种离子能完全分离,两个区域应无交叠,条件为
2(R1-R2)d④
利用②式,代入④式得2R1d
R1的最大值满足2R1m=L-d
得(L-d)d
求得最大值dm= L.
答案:(1) (2) (-)
(3) L
4.(2011年高考安徽理综)如图所示,在以坐标原点O为圆心、半径为R的半圆形区域内,有相互垂直的匀强电场和匀强磁场,磁感应强度为B,磁场方向垂直于xOy平面向里.一带正电的粒子(不计重力)从O点沿y轴正方向以某一速度射入,带电粒子恰好做匀速直线运动,经t0时间从P点射出.
(1)求电场强度的大小和方向.
(2)若仅撤去磁场,带电粒子仍从O点以相同的速度射入,经时间恰从半圆形区域的边界射出.求粒子运动加速度的大小.
(3)若仅撤去电场,带电粒子仍从O点射入,但速度为原来的4倍,求粒子在磁场中运动的时间.
解析:(1)因为带电粒子进入复合场后做匀速直线运动,
则qv0B=qE①
R=v0t0②
由①②联立解得E=
方向沿x轴正方向.
(2)若仅撤去磁场,带电粒子在电场中做类平抛运动,沿y轴正方向做匀速直线运动y=v0·=
沿x轴正方向做匀加速直线运动x=at2
由几何关系知x= =R
解得a=
(3)仅有磁场时,入射速度v′=4v,带电粒子在匀强磁场中做匀速圆周运动,设轨道半径为r,由牛顿第二定律有
qv′B=m
又qE=ma
可得r=
由几何知识sin α=
即sin α=,α=
带电粒子在磁
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