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碳化硅在大功率电力电子器件中的应用 摘要：功率半导体器件是电子技术的关键元件。与硅功率器件相比，碳化硅功率器件能够更高的电压，具有更低的寄生，更短响应时间。开关速度不但而且能够更小的变压器和电容器，大大减小了系统的整体尺寸和质量。而且，碳化硅的耐高温特性大降低，因此，碳化硅器件有望从本质上提高电力效率。本文对碳化硅材料特性做简单的介绍，进而深刻解碳化硅器件的物理和电气特性的电气特性和初步应用等问题 关键词：电力电器件，碳化硅，引言 碳化硅(SiC)的优异特性随绿色经济的兴起。在提高电力利用效率中起关键作用的是电力电子功率器。如低功率器的能耗已成为全球性的重要课题。同时，借助微电技术发展，以器件为基础电力功率的开关性能已随其结构设计和制造完善而接近其由材料特性决定理论极限，依靠硅器件继续完善(工作温度和环境温度)、抗辐射、具有较高的击穿电压和工作频率，适于在恶劣条件下工作。与传统的硅器件相比，日前已实用的SiC器件可将功耗降低一半，由此将大大减少设备的发热量，从而可大幅度降低电力功率变换器的体积和重量。但由于其制备工艺难度大，器件成品率低，因而价格较高，影响了其普通应用。近几年来，实用化和商品化的碳化硅肖特基势垒功率二极管，以其优良特性证实了半导体碳化硅在改善电力电子器件特性方面巨大的潜在优势。最近，Cree公司报道了耐压近2000V、电流大于100A、工作温度高于200℃的晶闸管[1]。这一报道被视为大功率碳化硅电力电了器件发展的一个里程碑，为将来碳化硅功率器件的广泛应用奠定了基础。 碳化硅的特性分析 就电力电子器 件而言，并不是最理想的材料，比较理想的材料应当是，临界雪崩击穿电场强度、载流子饱和漂移速和热导都比较高的宽导体材料，比较典型的有砷化镓、碳化硅等。特是碳化肖特极管在世纪初投放场并获得良好的实际应用效果后，进步增强人们大力发展电力电子器件的信心。表l概括了材料的要物理参数。 禁带宽度(eV) 相对介电常数 迁移率(cm2/Vs) 绝缘击穿场强(V/cm) 性能指数 SiC 3.25 9.7 1140 3×106 620 Si 1.10 11.8 1500 3×105 1 注：以4HSiC的值为例。 迄今为观察的碳化多，但3C-SiC、4H-SiC及6H-SiC几种。6HSiC与4H-SiC禁带宽度分3.0eV、3.25eV，相应本征温3C-SiC，其2.3eV左右。，的碳化件嚣件多4H-SiC。碳化做成器，其有可能超过600，而其电学特性不会受到的影响。器件反向承受漂移区(器件)或(双极器件)的度和，。，2A/格） 图2 MOSFET的通态电阻 SiC电力电子器件的发展 碳化硅二极管 碳化硅pn结二极管通常用液相外延法或气相外延法制成p+nn结构，分平面型和台面型。由于pn结之问的高阻n层，也常称为极管。目前，接近20kV碳化硅二极管已见报道。口本Sugawara研究室采用JTE(JunctionTerminationExtension)终端技术8]，用4HSiC做出了12kV和19kV台面型pin二极管。2006年，Cree公司公布了180A/4500V的4H.SiC PIN--极管，其片尺寸为13.6mm13.6mm，通态压降为3.17V。 目前，对大功率碳化硅肖特基势垒二极管研究发已达到小面积(直径0.5mm以下)器件反向断电压超过4000V，大面积(直径超过1mm)器也能达到1000V右水平。例如，200l中已有140A/800V4H-SiC JBs报导9]。报导中，反向高达1200V4H-SiC肖特基势垒极管己做到直径3mm，其向电流密度高达300A·cm2，向相应的向压降2V10]。2008年，Rohm公司公布300A/660V的4HSiC肖特基极管，其片尺寸为10mm×10m，通降为1.5V。 碳化硅 碳化硅功率MOSFET结构上硅功率MOSFET没有太别2000年已有用4HSiC实现阻断电压2000V以上，最高可达7000V导，其通态比电阻要比硅低250倍11]。就应用要求而言，电力电子器件 除了要尽可能降低静态和动态损耗外，还要有尽可能高的承受浪涌电流(电流在数毫秒的瞬数倍于稳态值)的能力。由于浪涌电流会引起器件结温的骤然升高，通态比电阻偏高的器件，其浪涌电流承受力注定非常低。由于单极功率器件的通态比电阻随其阻断电压的提高而迅速增大，硅功率MOS只在电压等级不超过lV时才具有较好的性价比。尽管硅IGBT在这方面有很大改进，但其开关速度比功率MOS低，不能满足高频应用的需要。理论分析表明，用6HSiC和4HSiC制造功率MOS，其通态电阻可以比同等级的硅功率MOS分别低100倍和2000倍[12。2006年，Cree公司公布了5A/10V的4HSiC MOSFET，其通态压降为3.76V。 GT