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两步扩散法提高Si太阳电池效率的研究 　　摘要:提出先高温恒定源扩散后再低温恒量扩散的两步扩散法制作Si背面场太阳电池的新工艺。与常规的一步恒定源扩散工艺比较，所制作的太阳电池短路电流Isc提高了约20%,开路电压Voc也有明显的改善，光电转换效率提高了近4%。 　　关键词：太阳电池；扩散；效率；缺陷复合 　　目前背面场Si太阳电池的制作一般采用一步扩散工艺。这是由于一步扩散工艺有利于控制结深，便于制作浅结。但是，这样很容易导致表面杂质浓度过高，过高的表面杂质浓度会造成死层。死层中存在着大量的填隙原子、位错和缺陷，少子寿命远低于1ns以下。光在死层中发出的光生载流子都无谓地复合掉，导致效率下降。降低表面杂质浓度，减少缺陷，是提高效率的有效途径。本文以采用恒定源扩散加恒量扩散的两步扩散工艺对这一问题进行了研究，取得了较好的效果。 表?1不同结深两步扩散法的工艺参数 t1/minxj1/μmt2/hNs2/1019cm-3xj2/μmxj=xj1+xj2　　16.300.0530.290150.23726.000.0740.311　　35.750.0890.326　　16.300.0520.268120.21625.900.0730.289　　35.600.0890.305　　16.200.0520.249100.19725.750.0730.270　　35.430.0890.286　　1实验 　　1.1实验设计 　　结深xj和方块电阻R□是制作Si太阳电池p-n结的两个基本衡量标准。xj和R□的优化值分别为0.2～0.4μm和20～70Ω/□，而表面杂质浓度是决定xj和R□的一个重要参量。为了使杂质浓度快速达到方块电阻的要求，同时不会因为淀积时间过长而造成结深过深，第一步恒定源扩散拟采用1000℃的高温扩散，结深接近所要求的值，为0.2μm左右。第二步拟采用850℃的低温恒量扩散，适当选择扩散时间，使结深推进不深，最终结深为0.3μm左右.为了设计合理的扩散时间，必须知道恒定源扩散的表面杂质硼浓度Ns1。Ns1由下式给出： 　　Ns1=1/［1.13μqR□(Dt)1/2］（1） 　　式中??μ为空穴迁移率，约为400cm2/(V.s)；q为电子电量；D为扩散系数(可查表得出）；t为扩散时间。为此，对给定的固态硼源，在1000℃的温度和氮气氛下，专门制作了三个不同扩散时间的样品，用四探针法测定R□，由式（1）计算表面杂质浓度Ns1，取平均值，约为7.3×1019cm-3。根据式（1）和xj=A(Dt)1/2得到xj和R□的关系［3］为 　　R□=A/(1.13qμxjNs1), 　　式中A=2erfc-1(NB/Ns1)，NB为衬底掺杂浓度。选择三个不同的恒定源扩散时间t1，分别为15min，12min和10min。对应的结深xj1分别约为0.237μm,0.216μm和0.197μm，R□的计算值分别为45Ω/□,50Ω/□和55Ω/□。对应每个t1，采用三个不同的恒量扩散时间t2，分别为1h,2h和3h.恒量扩散后，xj与表面杂质浓度Ns2由表1给出。表中Ns2根据Smith函数计算: 　　Ns2=［(2Ns1)/π］×arctan［D1t1/(D2t2)］1/2 1.2样品制备 　　衬底是电阻率为1.8Ω.cm、表面为（111）面、杂质浓度为4×1015cm-3、厚度约为400μm的n型Si片。Si片清洗后化学抛光，再清洗、干燥后与固态硼源交替置于扩散炉的恒温区中。恒定源扩散每组四个样品，在1000℃的温度和氮气氛保护下进行.扩散后自然冷却取出。再将其中三个Si片按不同的扩散时间在850℃的温度和氮气氛保护下进行第二步无固态硼源即恒量扩散，另外一片不作恒量扩散用于比较。扩散后的样品去除背面p层，化学镀Ni制作n+背电场及下电极，用栅条掩模真空蒸镀Al制作上电极，蒸SiO减反膜后划片制作成背面场Si太阳电池。 　　1.3测试 　　影响太阳电池光电转换效率的物理参量较多，如电池本身的串联电阻、并联电阻和工作温度等.就样品本身而言，除了扩散不同外，基体材料参量和其他制作工艺是相同的。考虑到可比性，测试的环境温度也必须一致.为此，特研制了一种恒温测试台。在25℃、卤钨灯AM1.5光照度下，通过改变负载电阻测试I-V特性。 　　2结果与讨论 　　FF=ImVm/(IscVoc), η=IscVocFF/Pin,式中，FF为填充因子；ImVm为电池的最大输出功率；IscVoc为电池的极限功率；Pin为入射光功率（AM1.5光照度下为100mW）；η为光电转换效率。根据I-V特性曲线及以上两式，用最