西电模电——第4章 晶体二极管和其基本电路.pptVIP

第4章　常用半导体器件原理 4. 1 半导体物理基础 4. 2 PN结 4. 3 晶体二极管 4. 4 双极性晶体管 4. 5 场效应晶体管 在本征硅和锗的单晶中，原子按一定规律整齐排 列，并通过共价键把相邻原子牢固地连系在一起。 如 图所示。 　　二.P型半导体：在本征半导体中掺入三价元素(如硼、铝、铟等)。 由以上分析可知 或 正比于 4.2　PN结　 密度差产生扩散力 多子扩散并复合 空间电荷区 　 开始时，扩散运动占优势，随着扩散运动的不断进行，界面两侧显露出的正、负离子逐渐增多，空间电荷区 展宽，使内电场不断增强，于是漂移运动随之增强，而扩 散运动相对减弱。最后，因浓度差而产生的扩散力被电场 力所抵消，使扩散和漂移运 动达到动态平衡。空间电荷 区的宽度一定，UB也保持 一定。 对于极性不同的正、反向电压，|u|只要大于UT几倍以上，则PN结电流方程可分别近似为 二. 齐纳击穿 在重掺杂的PN结中，耗尽区很窄，所以不大的反向电压就能在耗尽区内形成很强的电场强度。当反向电压大到一定值时，强电场足以将耗尽区内中性原子的价电子直接拉出共价键，产生大量电子-空穴对，使反向电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿或场致击穿。 对PN+结，可以忽略ΔQp/Δu项。经理论分析可得 同理，在N区一侧，非平衡空穴的浓度也有类似的分布和同样的变化，引起存贮电荷的变化量ΔQp。 温度每升高10℃，反向饱和电流IS增大一倍。如果温度为T1时，IS =IS1；温度为T2时，IS =IS2，则 当温度升高到一定程度时，由本征激发产生的少子浓度有可能超过掺杂浓度，使杂质半导体变得与本征半导体一样，这时PN结就不存在了。因此，为了保证PN结正常工作，它的最高工作温度有一个限制，对硅材料约为(150~200)℃，对锗材料约为(75~100)℃。 ? 以上三种电路模型，是在不同近似条件下模拟了大信号运用时二极管的开关特性。其中(b)、(c)是低频工作时最常用的近似模型。 2. 精密全波整流电路––绝对值电路 用半波整流和相加器构成全波整流的原理如图所示： 三、二极管电平选择电路 从多路输入信号中选出最低电平或最高电平的电路，称为电平选择电路。二极管低电平选择电路如图所示。　　 作业： p21 1-9, 1-10, 1-11, 1-12 小 结 复 习 小 结 其上、下门限分别为： UoH =UZ+UD UoL =-(UZ+UD) 　　输出电压的限幅电路： 可见，只要调节电位器动臂的位置，使充、放电时常数不等，则占空比可调。但振荡周期（频率）保持不变。 占空比D可调的方波振荡器 显然，上述电路由于T1=T2，T=2T1， 所以D=0.5 如果要求占空比可调: D定义为高电平时间T1与周期T的比值， 即 如动臂向上移动时： T1T2，D0.5 锯齿波产生器（三角波转换为锯齿波） 作业： p150 4-10， 4-11(b), 4-13, 4-14, 4-15。 　　　 1-5　其它二极管简介 一、变容二极管 如前所述，PN结加反向电压时，结上呈现势垒电容，该电容随反向电压增大而减小。利用这一特性制作的二极管，称为变容二极管。它的电路符号如图所示。它的主要参数有：变容指数、结电容的压控范围及允许的最大反向电压等。 二、肖特基二极管 当金属与N型半导体接触时，在其交界面处会形成势垒区，利用该势垒制作的二极管，称为肖特基二极管或表面势垒二极管。它的原理结构图和对应的电路符号如图所示。 N 型 半导体 ( a ) 金属 ( b ) + + + + + + + + + + + + 三、 光电二极管 光电二极管是一种将光能转换为电能的半导体器件，其结构与普通二极管相似，只是管壳上留有一个能入射光线的窗口。图示出了光电二极管的电路符号，其中，受光照区的电极为前级，不受光照区的电极为后级