2016年西南大学电力电子技术作业附的答案.docxVIP

第一批单选题题目说明:（10.0分）1.IGBT属于（）控制型元件A．A：电流B．B：电压C．C：电阻D．D：频率（10.0分）2.触发电路中的触发信号应具有（）A．A：足够大的触发功率B．B：足够小的触发功率C．C：尽可能缓的前沿D．D：尽可能窄的宽度（10.0分）3.对于单相交交变频电路如下图，在t1~t2时间段内，P组晶闸管变流装置与N组晶闸管变流装置的工作状态是（）A．A：P组阻断，N组整流B．B：P组阻断，N组逆变C．C：N组阻断，P组整流D．D：N组阻断，P组逆变（10.0分）4.电流型逆变器中间直流环节贮能元件是()A．A：电容B．B：电感C．C：蓄电池D．D：电动机（10.0分）5.单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角a的最大移相范围是（）A．A：90°B．B：120°C．C：150°D．D：180°（10.0分）6.具有自关断能力的电力半导体器件称为()A．A：全控型器件B．B：半控型器件C．C：不控型器件D．D：触发型器件（10.0分）7.IGBT是一个复合型的器件，它是（）A．A：GTR驱动的MOSFETB．B：MOSFET驱动的GTRC．C：MOSFET驱动的晶闸管D．D：MOSFET驱动的GTO（10.0分）8.从晶闸管开始承受正向电压的到晶闸管导通时刻的电度角称为（）。A．A：控制角B．B：延迟角C．C：滞后角D．D：重叠角（10.0分）9.将直流电能转换为交流电能供给负载的变流器是()A．A：有源逆变器B．B：A/D变换器C．C：D/A变换器D．D：无源逆变器（10.0分）10.已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流（）A．A：减小至维持电流以下B．B：减小至擎住电流以下C．C：减小至门极触发电流以下D．D：减小至5A以下（10.0分）11.降压斩波电路中，已知电源电压Ud=16V，负载电压Uo=12V，斩波周期T=4ms，则开通时Ton=（）A．A：1msB．B：2msC．C：3msD．D：4ms（10.0分）12.三相半波可控整流电路的自然换相点是（）A．A：交流相电压的过零点B．B：本相相电压与相邻相电压正半周的交点处C．C：比三相不可控整流电路的自然换相点超前30oD．D：比三相不可控整流电路的自然换相点滞后60o（10.0分）13.单相桥式半控整流电路中，电阻性负载，流过每个晶闸管的有效电流IT＝()A．A：1IB．B：0.5IC．C：(１/1.747)*ID．D：1.747*I主观填空题题目说明:（10.0分）14.过电压产生的原因()、()，可采取()、()和（）保护。答：过电压分为外因过电压和内因过电压两类，过压的保护器件有：稳压二级管;压敏二级管;双向触发二级管;（10.0分）15.设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即（），其承受的最大正向电压（）。答：设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即（），其承受的最大正向电压（）。（10.0分）16.晶闸管是硅晶体闸流管的简称，常用的外形有（）与（）。答：晶闸管是硅晶体闸流管的简称，常用的外形有（螺栓型）与（平板型）。（10.0分）17.在下图中，（）和（）构成降压斩波电路使直流电动机电动运行，工作于第1象限；（）和（）构成升压斩波电路，把直流电动机的动能转变成为电能反馈到电源，使电动机作再生制动运行，工作于（）象限。答：在下图中，（V1）和（VD1）构成降压斩波电路使直流电动机电动运行，工作于第1象限；（V2）和（VD2）构成升压斩波电路，把直流电动机的动能转变成为电能反馈到电源，使电动机作再生制动运行，工作于（第2）象限。（10.0分）18.在三相半波可控整流电路中，电感性负载，当控制角（）时，输出电压波形出现负值，因而常加续流二极管。答:在三相半波可控整流电路中，电感性负载，当控制角（大于300）时，输出电压波形出现负值，因而常加续流二极管。（10.0分）19.逆变电路的负载如果接到电源，则称为（）逆变，如果接到负载，则称为（）逆变。答：逆变电路的负载如果接到电源，则称为（有源）逆变，如果接到负载，则称为（无源）逆变。（10.0分）20.晶闸管的断态不重复峰值电压UDSM与转折电压UBO在数值大小上应为UDSMUBO答：晶闸管的断态不重复峰值电压UDSM与转折电压UBO在数值大小上应为UDSM＜UBO（10.0分）21.请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管（）；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管（）；绝缘栅双极型晶体管（）；IGBT是（）和（）的复合管。答：电力晶体管?GTR??；可关断晶闸管GTO?；功率场效应晶体?MOSFET?；绝缘栅双极型晶体管?IGBT?