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§5.3 栅极驱动和保护 一、栅极驱动特性 与GTR相比，驱动功率小，电路简单。 1．理想栅极驱动电路：要求电路简单，快速，具有保护功能。 栅极为容性网络，驱动源输出电阻直接影响开关速度。 Ron，Roff输出电阻 正电压开通 负电压关断 * 第五章 功率场效应晶体管 （Power MOSFET) TO-247AC TO-220F TO-92 TO-126 §5.1 结构与工作原理 一、普通MOSFET基本结构 特点：单极型电压控制器件，具有自关断能力，驱动功率小 工作速度高，无二次击穿问题，安全工作区宽。 1．N沟道MOSFET 工作原理： ①VGS=0，无导电沟道。 ②VGS0，反型层出现， 形成N沟道，电子导电。 G D S 类型：增强型，耗尽型 增强型 ２.P沟道MOSFET：空穴导电 分类：增强型，耗尽型 G D S G D S 增强型 耗尽型 3．存在问题：平面型结构 S、G、D处于同一平面，电流横向流动，电流容量不可能太大；要获得大功率，可增大沟道宽/长比（W/L），但沟道长度受工艺限制，不能很小；增大管芯面积，但不经济，因此管子功率小，大功率难实现。 二、功率MOSFET： 如何获得高耐压、大电流器件？ 对比GTR，GTR在功率领域获得突破的原因： ①垂直导