第八节 双极型集成电路1.pptVIP

第八章 双极型集成电路 内容提要 8.1 集成电路制造工艺 8.2 电学隔离 8.3 pn结隔离集成电路工艺流程 8.4 IC中的元件结构与寄生效应 8.5 TTL门电路的工作原理和基本参数 8.6 TTL门电路的改进 8.7 双极型数字电路的版图设计 集成电路设计与制造的主要流程框架 图形转换：将设计在掩膜版(类似于照相底片)上的图形转移到半导体单晶片上 掺杂：根据设计的需要，将各种杂质掺杂在需要的位置上，形成晶体管、接触等 制膜：制作各种材料的薄膜 一、图形转换：光刻 光刻机 光刻三要素：光刻胶、掩膜版和光刻机 光刻胶又叫光致抗蚀剂，它是由光敏化合物、基体树脂和有机溶剂等混合而成的胶状液体 光刻胶受到特定波长光线的作用后，导致其化学结构发生变化，使光刻胶在某种特定溶液中的溶解特性改变 正胶：分辨率高，在超大规模集成电路工艺中，一般只采用正胶 负胶：分辨率差，适于加工线宽≥3?m的线条 光刻过程： 第一步：涂胶 第二步：预烘 第三步：曝光 第四步：显影 第五步：后烘 几种常见的光刻方法 接触式光刻：分辨率较高，但是容易造成掩膜版和光刻胶膜的损伤。 接近式曝光：在硅片和掩膜版之间有一个很小的间隙(10～25?m)，可以大