吉大数字电子技术门电路课堂笔记主要知识点掌握程度.DOCVIP

吉大《数字电子技术》第三章 门电路 课堂笔记 主要知识点掌握程度 了解并掌握半导体二极管电路的开关特性和各种门电路，掌握CMOS门电路和TTL门电路的工作原理、逻辑功能以及作为电子元器件的电气特性。 知识点整理 一、概述 在逻辑门电路中：正逻辑用高电平表示1，低电平表示0；负逻辑用高电平表示0，低电平表示1。一般采用正逻辑，用负逻辑时需作说明。CMOS门用正逻辑，PMOS门用负逻辑 获得高、低电平的两种基本原理由下面电路图进行说明，即利用半导体开关元件的导通、截止即开、关两种工作状态来获得高、低电平。 单开关电路 互补开关电路 二、半导体二极管门电路 （一）半导体二极管的开关特性 半导体二极管具有单向导电性，即外加正向电压时导通，外加反向电压时截止，相当于一个受外加电压极性控制的开关。 ui=0时，二极管截止，如同开关断开，u0=0V； ui=5V时，二极管导通，如同0.7V的电压源，u0=4.3V； 伏安特性曲线 二极管开关电路 （二）二极管与门 若A、B分别输入高电平为3V，低电平为0V，则二极管导通压降为0.7V； 当A、B中只要有一个是低电平0V，则必有一个二极管导通，使输出电位为0.7V，逻辑0。 只有A、B同时为高电平3V时，两个二极管都导通，输出3.7V，逻辑1，Y=AB。 （三）二极管或门 只要A、B中有一个是高电平，输出端电位为2.3V，逻辑1； 只有当A、B同时为低电平时，输出才是0V，Y=A+B。 三、CMOS门电路 MOS电路是以MOS管为基础的集成电路，MOS管中的电流是一种载流子的运动形成的，故MOS电路属于单极型电路。 MOS集成电路可分为三类： NMOS电路：是指由N沟道增强型MOS管构成的门电路。 PMOS电路：是指由P沟道增强型MOS管构成的门电路。 CMOS电路：是指兼有N沟道和P沟道增强型MOS管构成的门电路，称为互补MOS电路，简称为CMOS电路。CMOS电路工作速度快，功耗低，性能优越。 CMOS反相器 其中，T1是P沟道增强型MOS管，T2是N沟道增强型MOS管，如果T1和T2的开启电压分别为VGS(th)p和VGS(th)N，电路正常工作必须满足条件：。 若输入信号vi为0V，则PMOS管导通，NMOS管截止，输出为1，若输入信号vi为1，则PMOS管截止，NMOS管导通，输出为0，等效电路分别如下： 注：T1、T2总是工作在一个导通一个截止的互补状态，静态功耗很小，这是CMOS电路最突出的一大优点。 CMOS与非门 由两个并联的P沟道增强型MOS管T1、T3和两个串联的N沟道增强型MOS管T2、T4组成。 实现与非功能，输入只要有0，输出为1，只有输入全1时输出才为0。 CMOS或非门 由两个并联的N沟道增强型MOS管T2、T4和两个串联的P沟道增强型MOS管T1、T3组成。 实现或非功能，只要输入有1，输出便为0，只有输入全0时输出才为1。 漏极开路输出门电路（OD门） 1、定义 在CMOS电路中，为满足输出电平变换、吸收大负载电流以及实现线与连接等需要，有时将输出级电路结构改为一个漏极开路输出的MOS管，构成漏极开路输出门电路，简称OD门。 线与逻辑符号为：，逻辑关系为： 2、电路结构与逻辑符号 普通与非门输出不能直接连在一起实现线与，会产生很大的电流使管子烧毁。将MOS管的漏极开路构成OD门，一定要在外电路接上负载电阻。 3、外接电阻阻值的计算 线与输出端接有其他门电路作为负载的情况下，当所有的OD门同时截止、输出为高电平时，由于OD门输出端MOS管截止时的漏电流和负载门的高电平输入电流同时流过RL，并在RL上产生压降，为保证输出高电平不低于规定的数值，RL不能取得过大，可求其最大允许值。 其中n是并联OD门的数目，m是负载门电路高电平输入电流的数目，则负载电阻RL最大值计算如下： 当输入为低电平时，m’是负载门电路低电平输入电流的数目，在负载门为CMOS门电路的情况下，m与m’相等。负载电阻最小值计算如下： CMOS传输门 由一对参数对称一致的增强型NMOS管和PMOS管并联构成。MOS管的漏极和源极结构对称可互换使用，因此CMOS传输门的输出端和输入端也可互换。 1、电路结构与逻辑符号 C=1,时，传输门开通，；时，传输门关闭，信号不能传输。 C、C’为互补控制信号，传输门是一个理想的双向开关，可传输模拟信号，也可传输数字信号。 CMOS传输门和CMOS反相器都是构成各种复杂逻辑电路的基本单元。 2、应用 构成异或门或双向模拟开关，如下： 异或门电路图 异或门逻辑符号