电子科大微电子考研的资料电子教案4pdf.pptVIP

半导体 物理SEMICONDUCTOR PHYSICS 编写:刘诺 独立制作 : 刘 诺 电子科技大学 微电子与固体电子学院 微电子科学与工程系 一、散射与漂移运动 加上外电场E的理想:载流子定向运动，即漂移运动。 §4.1 载流子的漂移运动 迁移率 结论： 在严格周期性势场（理想）中运动的 载流子在电场力的作用下将获得加速 度，其漂移速度应越来越大。 第四篇 半导体的导电性 存在破坏周期性势场的作用因素： 如： * 杂质 * 缺陷 * 晶格热振动 散射 实际中， 2、迁移率假设讨论的是n型半导体，电子浓度为n0，在外电场下通过半导体的电流密度 同理，对p型半导体 迁移率的意义：表征了在单位电场下载流子的平均漂移速度。 它是表示半导体电迁移能力的重要参数。 1、载流子散射（1）载流子的热运动 自由程l：相邻两次散射之间自由运动的路程。 §4.2 载 流 子 的 散 射 平均自由程：连续两次散射间自由运动的平均路程。 在外电场作用下，实际上，载流子的运动是： 热运动+漂移运动 电流I 单位时间内一个载流子被散射的次数 散射几率P （2）、载流子的漂移运动 1）电离杂质散射：即库仑散射 散射几率Pi∝NiT-3/2（Ni：为杂质浓度总和）。 2、半导体的主要散射机构 2）晶格振动散射 有N个原胞的晶体 有N个格波波矢q 一个q=3支光学波(高频)+3支声学波(低频) 振动方式: 3个光学波=1个纵波+2个横波 3个声学波=1个纵波+2个横波 格波的能量效应以hνa为单元 声子 特点：各向同性。 a、声学波散射： Ps∝T3/2 b、光学波散射：P o∝[exphv/k0T）]-1 3)其它散射机构 （1）等同能谷间散射——高温下显著 谷间散射：电子在等同能故中从一个极 值附近散射到另一个极值附 近的散射。 分类：A、弹性散射 B、非弹性散射 （2）中性杂质散射——在低温下重掺杂半导 体中发生. （3）位错散射——位错密度104cm-2时发 生具有各向异性的特点. （4）载流子与载流子间的散射 ——在强简并下发生 此图是Ge在300K下的电子迁移率和空穴迁移率 §4.4 电阻率及其与杂质 浓度和温度的关系 杂质离化区 过渡区 高温本征激发区 (2.2)杂质半导体 2.电阻率随温度的变化 f0：热平衡状态下的分布函数 §4.5 波尔兹曼方程  电导率的统计理论 因此，得到非平衡态下Boltzmann方程的一般形式： 2、驰豫时间近似 3、弱场近似下Boltzmann方程的解 §4.6 强电场下的效应 热载流子（自学） 半导体 物理SEMICONDUCTOR PHYSICS 编写:刘诺 独立制作 : 刘 诺 电子科技大学 微电子与固体电子学院 微电子科学与工程系