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半导体 物理 编写：刘诺 独立制作: 刘 诺 电子科技大学 微电子与固体电子学院 微电子科学与工程系 §3.1 状 态 密 度  假设在能带中能量E与E+dE之间的能量间隔dE内有量子态dZ个，则定义状态密度g（E）为： 第三章 半导体中载流子 的统计分布 每个允许的能量状态在k空间中与由整数组（nx，ny，nz）决定的一个代表点（ kx，ky，kZ ）相对应 在k空间中，电子的允许量子态密度是 2×V 一、球形等能面情况 假设导带底在k=0处，且 同理，可推得价带顶状态密度： 则 导带底状态密度： 二、旋转椭球等能面情况： 导带底状态密度： 价带顶状态密度： 由此可知： 状态密度gC（E）和gV（E） 与能量E有抛物线关系，还与 有效质量有关，有效质量大的 能带中的状态密度大。 一、费米（Fermi）分布函数与费米能级 1、费米分布函数 电子遵循费米-狄拉克（Fermi-Dirac）统计分布规律。能量为E的一个独立的电子态被一个电子占据的几率为 §3.2 费米能级和载流子统计分布 2、费米能级EF的意义 EF 二、波尔兹曼（Boltzmann）分布函数 当E-EF》k0T时, 三、空穴的分布函数 空穴的波尔兹曼分布函数 空穴的费米分布函数 服从Boltzmann分布的电子系统 非简并系统 相应的半导体 非简并半导体 服从Fermi分布的电子系统 简并系统 相应的半导体 简并半导体 本征载流子的产生： 四、导带中的电子浓度和价带中的空穴浓度 单位体积的电子数n0和空穴数p0： 则 由下式可知： （1）当材料一定时，n0、p0随EF和T而变化； （2）当温度T一定时， n0×p0仅仅与本征材料相关。 可以见到：Nc∝T3/2和Nv ∝T3/2 在热平衡态下，半导体是电中性的： n0=p0 （1） §3.3 本征半导体的 载流子浓度 即得到： 一般温度下，Si、Ge、GaAs等本征半导体的EF近似在禁带中央Ei，只有温度较高时，EF才会偏离Ei。 由（5）式可以见到： 1、温度一定时，Eg大的材料，ni小； 2、对同种材料， ni随温度T按指数关系上 升。 一、杂质能级上的电子和空穴 杂质能级 最多只能容纳某个自旋方向的电子。 §3.4 杂质半导体的载流子浓度 对于Ge、Si和GaAs： gA=4 gD=2 简并度： 施主浓度:ND 受主浓度: NA：（1）杂质能级上未离化的载流子浓度nD和pA ： （2）电离杂质的浓度 二、n型半导体的载流子浓度 假设只含一种n型杂质。在热平衡条件下，半导体是电中性的： n0=p0+nD+ （7） 当温度从高到低变化时，对不同温度还可将此式进一步简化 n型Si中电子浓度n与温度T的关系： 杂质离化区 过渡区 本征激发区 1、杂质离化区 特征：本征激发可以忽略， p0≌0 导带电子主要由电离杂质提供。 电中性条件 n0=p0+nD+ 可近似为 n0=nD+ （9） （1）低温弱电离区：特征： nD+ 《ND 弱电离 (2)中间弱电离区：本征激发仍略去，随着温度T的增加，nD+已足够大，故直接求解方程（8） （3）强电离区：特征：杂质基本全电离 nD+≌ND电中性条件简化为 n0=ND （18） 这时， 注：强电离与弱电离的区分： 决定杂质全电离 （nD+≧90%ND）的因素： 1、杂质电离能； 2、杂质浓度。 在室温（RT）时，当杂质浓度≧10ni时， nD+≌ND 2、过渡区： 电中性条件： n0=ND+p0 特征：（1）杂质全电离nD+=ND  （2）本征激