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低压无功补偿投切开关1
关于无功补偿
无功补偿就是要提高电能利用效率、降低电网损耗、营造绿色电力环境,保护生态环境,达到节能减排的目的。通过改变并联电容器的容量来改变无功功率是当前最基本和被普遍采用的经济有效的方法,这一方法也是电力系统中提高使用效率最基本最有效的手段之一,也是最容易实现的方法。无功补偿装置中最主要的元件是投切开关和电容器,而投切开关的性能直接影响到电容器的使用寿命及补偿效果,所以其性能至关重要。
低压电容器投切开关的发展历程及趋势
低压电容器投切开关的应用经历了一个由简单粗犷到理性精细的发展过程,下面是目前使用的各种低压补偿电容器投切开关的分析比较:
交流接触器
最先应用于低压电容器投切的开关是交流接触器,这是一种传统的电容器投切方式,由于三相交流电的相位互成120°,对交流接触器投切控制,理论上不存在最佳操作相位点(即投切瞬时不可选择性),使得它投入或切除电网时,要产生一个暂态的过渡过程,又因电容器是电压不能瞬变的器件,并联电容器由交流接触器投切电网时,由于其相位点是随机的,所以会产生幅值很大、频率很高的浪涌电流(涌流最大时可能超过100倍电容器额定电流)。涌流不仅会对电网产生不利的干扰,对交流接触器易产生电弧、易烧损触头,而且涌流、过电压会加速电容器的失效,减少电容器的使用寿命,甚至爆炸,所以采用交流接触器的投切方式谐波污染大、维护成本高、不适于频繁操作。为了改善这些缺陷,出现了所谓投切电容器专用接触器,就是在接触器的主触头处并以带电阻的辅助触头,在合闸时先合上辅助触头,然后再合上主触头,以此减低浪涌电流;而分闸时时序恰好相反,先分主触头,而后再分辅助触头,以此减轻电弧对触头的烧损。但这一措施仅仅是一种改良而已,并未在根本上解决问题,涌流、过电压和谐波污染仍然存在,对电容器和装置的寿命仍有很大的影响,所以其在低压电容器投切领域的应用将越来越少。但由于其投资低、控制简单,所以至今在不少技术要求低的地方仍在应用,但可以预见,随着电容器投切开关的发展,将逐步被淘汰。
可控硅开关(固态继电器)
随着电力电子器件应用的发展和普及,后来人们研发出由可控硅为核心的固态继电器。其原理为通过电压、电流过零检测控制,保证在电压零区附近投入电容器组,从而避免了合闸涌流的产生,而切断又在电流过零时完成,避免了暂态过电压的出现,这就从功能上符合了电容器的过零投切的要求,另外由于可控硅的触发次数没有限制,可以实现准动态补偿(响应时间在毫秒级),因此适用于电容器的频繁投切,非常适用于频繁变化的负荷情况,相对于交流接触器有了质的飞跃。然而固态继电器在应用上有致命的弱点:就是在通电运行时可控硅导通电压降约为1V左右,损耗很大(以额定容量100Kvar的补偿装置为例,每相额定电流约为145A,则可控硅额定导通损耗为145×1×3=435W),由于有大的功耗所以需要散热以避免PN 结的热击穿,为了降温就需要使用面积很大的散热器,甚至需要风扇进行强迫通风,另外可控硅对电压变化率(dv/dt)非常敏感,遇到操作过电压及雷击等电压突变的情况很容易误导通而被涌流损坏,即使安装避雷器也无济于事,因为避雷器只能限制电压的峰值,并不能降低电压变化率。可控硅开关的缺点是结构复杂、体积大、损耗大、成本高、可靠性差,优点是能实现过零投切、动作迅速、反应快,多用于动态补偿的场合,而不适用于常规低压电容器投切的无功补偿装置中。
复合开关
当仔细分析研究了交流接触器和可控硅开关的各自优缺点之后,发现如果把二者巧妙地结合来,优势互补,发挥接触器运行功耗小和可控硅开关过零投切的优点,便是一个较为理想的投切元件,这就是开发复合开关的基本思路,这种投切开关同时具备了交流接触器和电力电子投切开关二者的优点,不但抑制了涌流、避免了拉弧而且功耗较低,不再需要配备笨重的散热器和冷却风扇。要把二者结合起来的关键是相互之间的时序配合必须默契,可控硅开关负责控制电容器的投入和切除,交流接触器负责保持电容器投入后的接通,当接触器投入后可控硅开关就立即退出运行,这样就避免了可控硅元件的发热。这种看似很理想的复合开关自从2002 年开始,由原来全国仅数家企业研发生产,至今已扩展到数十家企业,虽外型结构或电路有所不同,但内在原理基本相同:用小形三端封装的可控硅作为电容器的投入和切除单元,用大功率永磁式磁保持继电器代替交流接触器负责保持电容器投入后的接通,其过零检测元件是一粒电压过零型光辊双向可控硅。从原理上看是理想的投切元件,但实际上并非如此,它存在下面一些缺陷:
(1)小形三端(TOP)封装可控硅由于结构性的原因,目前这类型式的可控硅其短时通流容量不能做得很低(低于60A ),反向耐压一般也只能达到1600V 左右,这就限制了它的应用范围。由仿真和计算证明在38OV 的系统电压下,电容器理想开断时的稳态过电压
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