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安培力 磁介质中的磁场9
* 金属导体 三、霍耳效应 实验测定霍耳电势差: 1897年美国物理学家霍耳 发现:对应图中沿Z方向 有电势差。这种现象称为 霍耳效应,这电势差称为 霍耳电势差。 霍耳系数 可以用带电粒子在磁场中受力解释, 精确的解释只能用电子的量子理论。 8.5 带电粒子在磁场中的运动 金属导体 以导体内部的载流子为自由电子为例: 自由电子受的磁力: 方向:向上 A B 在导体两侧(图中上下)出现电荷积累,由此 形成一附加电场,方向向上。其对电子在上 侧的积累产生阻碍作用,即电子受到的附加 电场力为: 当Fm=Fe时,电子不再漂移,结果在导体上下两 侧形成一横向电势差: 若载流子的浓度为n ,则电流为: 两端的电势差: 即可得霍尔系数: 一般地: RH 决定载流子的正负,实验 测定霍尔电势差,就要判断 载流子的正负。 金属导体 霍耳效应的应用: ?判定导电机制 ?测量未知磁感强度 因为: 此系数决定于载流子的正负,因此实验测定霍耳 电势差,就可判断载流子的正、负。 对半导体,用这个方法判定它是空穴型还是电子 型导电,还可确定载流子的浓度。 I 8.5 磁场对电流的作用 本节研究的是磁场对载流导线、载流线圈的作用。 F 无外磁场时,在外加电场的作用下, 自由电子以匀速运动,形成电流。 有外磁场时,自由电子受洛仑兹力 的作用,使电子的动量发生变化, 大量电子与金属晶格点阵的不断碰 撞,在宏观上就表现为导线的受力, 这种力被称为安培力。 一、磁场作用在一段载流导线上的安培力 以导线中的载流子:即沿 I 方向运动的粒子为例。 I S 设:载流子密度为n 每个电量为 q 且都以同一速度v运动 如图电流元所受的洛仑兹力为: 而: 一段载流导线 受的安培力: 例1 在均匀磁场中放置一半径为R的半圆形导线,电流强度为I,导线两端连线与磁感强度方向夹角?=30°,求此段圆弧电流受的磁力。 ?=30° 解:在电流上任取电流元 场均匀 方向 在均匀磁场中,任意形状的一段载流 导线所受的安培力,都可以写成 : 这安培力除与 , 有关外,只和导线 的两个端点位置有关,而与导线的长度和 形状无关。 例2 如图 长直导线过圆电流的中心且垂直圆电流平面 电流强度均为I 求:相互作用力 解:在电流上任取电流元 (在哪个电流上取?) 二、磁场(均匀)作用在载流线圈上的磁力矩 线圈平面与 方向成任意角 a(b) d(c ) a b c d 二者大小相等,方向相反, 但不在一条直线上,它们 形成一力偶,则这一力偶 所形成的力矩: 闭合平面线圈在均匀 磁场中所受的磁力矩 磁力矩总是力图使线圈平面转向与磁场垂直方向; 即:Pm 转向与 B 一致方向。 a(b) d(c ) 分析: 平衡状态 此时 M 最大 三、稳恒磁场中磁力、磁力矩的功 1、载流导线在稳恒磁场中运动时磁力所做的功 F 推导: 磁通量增量为: 当载流导线在磁场中运动时, I 保持不变,则磁力作功等于 电流乘以回路磁通量增量。 2、载流线圈在恒定磁场转动时磁力矩所做的功 a(b) d(c ) 载流线圈在均匀磁场中从 转到 当线圈从 转到 时,磁力 矩所做的功为: 、 表示线圈在 、 位置时的磁通量。 一个任意的闭合回路在磁场中改变位 置或形状时,磁力或磁力 矩所做的功 8.6 磁介质 当电流周围有物质存在时,磁场会使物质磁化,这样 磁化了的物质形成一附加磁场,影响原来的磁场。 把影响磁场的物质称之为磁介质。 一. 磁介质的分类 介质对场有影响 总场是 类比电介质中的电场 传导电流产生 与介质有关的电流产生 在介质均匀充满磁场的情况下 定义 介质的相对磁导率 顺磁质,使磁场增强; 抗磁质,使磁场减弱; 铁磁质,使磁场剧增。 介质的相对磁导率 二. 磁介质的磁化 磁化电流 1. 分子电流 分子磁矩 磁偶极子 介质中的磁导率为: 分子中所有电子的轨道磁矩和自旋磁矩 的矢量和称为分子的磁矩,用 表示。 与 对应的等效圆电流称为分子电流。 2、电子的拉摩进动 -e 以电子的轨道运动为例 轨道运动磁矩: 轨道运动角动量: 两式比较,可得: -e 电子的轨道运动受到的磁矩作用, 磁力矩为: 具有角动量的物体在力矩的 作用下就要发生进动。这一 进动也等效为一种圆电流, 这种圆电流的磁矩方向总是 与外磁场方向相反。 所以电子在做轨道运动的同时又绕外磁场做 进动,这称作拉摩进动。拉摩进动产生一附 加磁矩 ,与外磁场 方向相反。 3、顺、抗磁质的磁化 ? 顺磁质分子是有矩分子,其具有固有磁矩 外
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