4.1光电探测器的物理效应415.pptVIP

本章内容 光电探测器的物理效应 光电探测器的性能参数 光电探测器的噪声 光电导探测器 Pn结光伏探测器 硅光电池、光电二极管、光热探测器 4.1 光电探测器的物理效应 4.1 光电探测器的物理效应 光探测器定义 把光辐射转换成另一种便于测量的物理量的器件。 4.1 光电探测器的物理效应 由于电量是最便于测量和处理的量，将光转换成电量便于提高精确度。　　　　　　　　　 4.1 光电探测器的物理效应 4.1.1 光子效应 光子效应 单个光子直接对产生光电子起作用的光电效应 光子hn 特点 光子与电子相互作用，对光波频率吸收有选择性 响应速度快 4.1.1 光热效应 光热效应 探测元件吸收光辐射能量后，并不直接引起内部电子状态的改变，而把吸收的光能转变为晶格热运动，引起探测元件温度上升；温升使探测元件的电学性质发生变化。 物理机理：热积累↑ → 温度↑ → 材料电学性质变化 特点 对光波频率的吸收无选择性　 响应速度慢（但热释电响应快） 4.1.2 光电发射效应　 1. 外光电效应——光电发射效应 金属或半导体受光照时，如果入射的光子能量hn足够大，它和物质中的电子相互作用，使电子从材料表面逸出的现象，称为光电发射效应，也称为外光电效应。 能产生光电发射效应的物体称为光电发射体。 4.1.2 光电发射效应 光电发射效应图示 4.1.2 光电发射效应　 2. 光电发射定律 4.1.2 光电发射效应　 3. 光电发射效应能量关系——爱因斯坦定律 4.1.2 光电发射效应　 物理意义： Ej 小的发射体才能对波长较长的光辐射产生光电发射效应。 光照射到金属表面时，电子从金属表面逸出的现象称为光电效应。 1905年爱因斯坦发表的相对论而闻名于世 1925年他获得诺贝尔奖是因发现光电效应 4.1.2 光电发射效应　 4. 光电发射的基本过程——可分三个过程 1)光射入物体后，物体中的电子吸收光子能量，从基态跃迁到能量高于真空能级的激发态。 2)受激电子从受激地点出发，在向表面运动过程中免不了要同其它电子或晶格发生碰撞，而失去一部分能量。 3)达到表面的电子，如果仍有足够的能量足以克服表面势垒对电子的束缚（即逸出功）时，即可从表面逸出。 4.1.2 光电发射效应　 4. 光电发射的基本过程 4.1.2 光电发射效应 5. 优异的光电发射材料应满足： （1）对光的吸收系数大，以便体内有较多的电子受到激发； （2）受激电子最好是发生在表面附近，这样向表面运动过程中损失的能量少； （3）材料的逸出功要小，使到达真空界面的电子能够比较容易地逸出； （4）另外，作为光电阴极，其材料还要有一定的电导率，以便能够通过外电源来补充因光电发射所失去的电子。 4.1.2 光电发射效应 常规光电阴极 用于常用真空光电器件中。根据国际电子工业协会规定，按其出现的先后顺序，以S为字头排成序号。 4.1.3 光电导效应 1. 定义 光照变化引起半导体材料电导变化的现象称光电导效应。 内光电效应（photoconductive PC） 当光照射到半导体材料时，材料吸收光子的能量，引起载流子浓度增大，因而导致材料电导率增大。 电导率的改变通过电量测量来获得。 4.1.3 光电导效应 2．半导体的暗电导率 半导体的电导率的定义　　 4.1.3 光电导效应 3．光辐射改变半导体的电导率 4.1.3 光电导效应 4．光电导计算 4.1.3 光电导效应 5．光电导电流增益（M） 4.1.3 光电导效应 6. 光电导弛豫过程 光电导材料从光照开始到获得稳定的光电流是要经过一定时间的。同样光照停止后光电流也是逐渐消失的。这些现象称为弛豫过程或惰性。 对光电导体受矩形脉冲光照时，常有上升时间常数τr 和下降时间常数τf 来描述弛豫过程的长短。 τr表示光生载流子浓度从零增长到稳态值63%时所需的时间，τf 表示从停光前稳态值衰减到37%时所需的时间。 4.1.3 光电导效应 4.1.4 光伏效应 1. 光伏效应定义 光子照射PN结产生了电压（光生电动势），当两端短接时产生短路电流。 （内光电效应， photovoltage PV） 光伏效应是基于p－S、 n－S两种材料相接触时形成的内建势垒 4.1.4 光伏效应 2．pn结形成过程 p－S、 n－S两种材料相接触 →两边存在载流子的浓度差 →产生载流子扩散运动 →产生空间电荷区 →产生内建电场 →内建电场阻止扩散、产生漂移 →当扩散电流=漂移电流 →形成平衡pn结（势垒区），流过pn结的净电流为零。 3．pn结特性 热平衡时，当将p区n区用导线短接，电流表读数为零。零偏状态 当给pn结加正向偏置电压时（p正n负），随正偏电压的增加，正向电