第四章集成电路制造工艺1211.pptVIP

接触与互连 Al是目前集成电路工艺中最常用的金属互连材料 但Al连线也存在一些比较严重的问题 电迁移严重、电阻率偏高、浅结穿透等 Cu连线工艺有望从根本上解决该问题 IBM、Motorola等已经开发成功 目前，互连线已经占到芯片总面积的70～80%；且连线的宽度越来越窄，电流密度迅速增加 * fhfh * gjhhj jklk; * gjhhj jklk; * gjhhj jklk; * gjhhj jklk; * gjhhj jklk; * gjhhj jklk; * gjhhj jklk; 第 四 章 集成电路制造工艺 * fhfh 双极集成电路制造工艺 * fhfh SiO2厚膜： n+发射区 p p p n n n n+ n+ 基区 集电区 Al电极 C E B 隔离发射区与集电区 p+场隔离区 P型 :与周围器件隔离 与Al电极形成 欧姆接触 预埋层； 减少集电区寄生电阻 n+ P+ P+ NPN双极型三极管内部结构示意图 * fhfh p区：掺杂浓度一般的n型区 n+区：掺杂浓度较高的n型区 n区：掺杂浓度一般的n型区 p+区：掺杂浓度较高的p型区 * fhfh 光刻胶 SiO2膜 反应离子刻蚀 Si片 1、预埋层工艺 P型衬底 曝光 扩散掺杂形成n+预埋层 n+ n+ n+ n+ * fhfh 光刻胶 SiO2膜 曝光 离子注入形成p+隔离区 离子注入 P型