计算机组成原理_第三章_三主存储器课件.pptVIP

第三章 内部存储器;主要内容;概述（3.1） ;一、常用存储器件;二、当前计算机存储系统的分级结构;三、主存技术指标;半导体存储芯片简介;一、半导体存储芯片的基本组成;二、半导体存储芯片的译码方式；存储字与存储容量的计算;SRAM芯片（3.2）;逻辑符号与组成框图 容量计算 存储位元是触发器（SRAM芯片存储位元记忆原理） 存储单元（在单译码方式下；在双译码方式下） 功能表 波形图 SRAM与CPU的接口 ;DRAM芯片（3.3）;一、DRAM存储位元的记忆原理 二、DRAM逻辑符号及组成框图 三、DRAM的读周期、写周期、刷新周期 刷新周期：从上一次对整个芯片刷新结束到下一次对整个芯片刷一遍为止的时间间隔。常用刷新周期：8ms、16ms、某些可以大于100ms. 标准刷新操作有两种：只用RAS信号（需要外部刷新地址读数器），CAS在RAS之前（芯片内部有刷新地址计数器，每一个刷新周期自动加1） 刷新方式有二种：集中式、分散式 四、DRAM与CPU的接口 五、DRAM正确性校验 六、DRAM与SRAM的比较 ;存储器容量扩展;六、SRAM与DRAM比较;ROM与Flash（3.4）;一、MROM 1.存储位元记忆原理 2.逻辑符号 二、EPROM 1.存储位元记忆原理 2.EPROM与CPU的接口 三、用半导体芯片组织简单的主存 ;例：CPU的地址总线16根(A15—A0，A0为低位)，双向数据总线8根(D7—D0)，控制总线中与主存有关的信号有MREQ(允许访存， 低电平有效)，R/W(高电平为读命令，低电平为写命令)。 主存地址空间分配如下：0—8191为系统程序区，由只读存储芯片组成；8192—32767为用户程序区；最后(最大地址)2K地址空间为系统程序工作区。上述地址为十进制，按字节编址。 现有如下存储器芯片：EPROM：8K×8位(控制端仅有CS);SRAM：16K×1位，2K×8位，4K×8位，8K×8位. 请从上述芯片中选择适当芯片设计该计算机主存储器，画出主存储器逻辑框图.;SRAM、ROM芯片与CPU的接口设计;主存地址分配：按字编址与按字节编址;多模块交叉存储器（ 3.5 ）;一、交叉存储器的组成;二、交叉存储器的功能;Cache(高速缓冲存储器3.6);一、Cache的功能与性能;二、Cache的组成(课本图3.32);图3.32中，Cache有4行，每行有4个字，常用SRAM组成 相联存储表功能：CPU通过地址总线???出一个主存字的地址，相联存储器根据这个地址判断这个主存字所在的主存块是否在Cache的某一行中做了副本（是否Cache命中）；如果在，将主存字地址转换为它的副本的Cache地址。 LRU管理逻辑：如果命中，那么Cache做读操作；如果不命中，那么主存做读操作，同时将这个字所在的主存块传到Cache中。在做这个块传输之前，首先要由LRU管理逻辑来决定传到Cache的哪一行中;三、Cache的组织方式与主存到Cache的地址映射---全相联;三、Cache的组织方式与主存到Cache的地址映射---直接映射;三、Cache的组织方式与主存到Cache的地址映射---组相联;四、替换策略;四、替换策略之LRU;五、Cache的写操作策略;虚拟存储器与存储保护（9.4—9.5）;一、什么是虚拟存储器;二、虚拟存储器的构成;三、虚拟存储器常用的组织形式与地址映射（虚实变换）;三、虚拟存储器常用的组织形式与虚实变换1---页式;例：虚实变换1;;虚实变换2（虚页号向辅存实地址的变换）---页式;虚页号向磁盘实地址的变换;四、替换算法;五、虚拟存储系统的存储保护;六、案例分析-------虚拟机虚拟存储器实验;作业