硅中氧碳.pptVIP

直拉单晶硅中氧与碳 为什么研究氧、碳？ 硅中 的 氧 、碳的浓度及其形态对硅材料的电学性能和机械性能有着显著的影响，并进而影响到器件的电学特性和成品率。 硅中氧 直拉 硅 中 的氧主要来自于拉晶过程中熔硅对石英坩埚侵蚀，其反应式为: si+sio2→sio 生成的sio一部分从熔体表面挥发，一部分溶入熔体最终进入硅晶体，因此，硅中氧浓度与拉晶工艺密切相关。 原生 样 品 中的氧主要位于晶格的间隙位置，两个相邻的硅原子之间的si-si键断开后，中间插入一个氧原子形成si-O-si的结构。 硅中氧形态 硅中 的 氧 除了以间隙态存在，还有很多其它形态，各种空位—氧的复合体，杂质—氧的复合体，各种施主态氧，各种形态氧沉淀等等，虽然红外光谱只能测量硅中的间隙氧，但我们也可以从间隙氧浓度的变化看出不同形态的氧之间的相互转化，另外，常温或低温红外光谱亦是研究硅中碳氧复合物、氮氧复合物、热施主的重要手段。 硅中氧测量 常温 红 外 光谱测量硅中的间隙氧方便精确，重复性好，对样品无破坏，但对于电阻率低于0.1Ω cm 的重掺样品，杂质的吸收峰淹没于自由载流子的吸收谱中，间隙氧的测量无法实现，这种情况下可以通过其它方法测量，如带电粒子活化分析法(CPAA)，二次离子质谱法(SIMS )，气体熔化分析法(GFA) 这三种方法都是测量硅中的总氧，目前国内已有用红外校准的GFA法测量重掺硅中的氧的应用。 硅中氧的基本性质 1.有害作用 a. 氧施主的形成 氧施主可以改变硅片电阻率及P-N结击穿电压 b. 堆垛层错 堆垛层错随初始氧浓度的增加而增加 c. 漩涡 漩涡的形成与氧分布的不均匀行有关 2.有利作用 由于硅中氧的存在而带来的好处也有报导， 如能避免由于热应力产生的位错增殖。换句话说，由于氧的存在，多少能使硅点阵坚固些。另一个例子是SiO2沉淀吸除杂质或缺陷。由于采用了SiO2沉淀体浓度高的硅片作衬底，因而能长出高质最的外延层。这就是所说的本征吸收。 氧含量的控制 控氧的方法分为无磁场控氧和有磁场控氧两大类，前者通过采用合适的气氛、热场、坩埚材料、埚位、埚转、晶转等控氧， 后者通过将硅熔体置于一定磁场环境中而达到控氧的目的。磁场能有效控制熔体热对流，可显著降低硅单晶中氧的含量， 且易于实现单晶氧含量的均匀分布，是一种有效的控制氧含量的方法。 氧均匀性控制 1.轴向均匀性控制 氧的轴向均匀性控制对CZ 硅单晶的生产来说很重要，也很复杂。减少晶锭头部氧含量可以通过(1) 增加保护气体流量、降低炉膛压力。(2) 采用矮温场，增大纵向温度梯度。(3) 选用合适的坩埚材料。(4) 采用低埚位、低锅转。(5) 根据具体的单晶炉确定合适的晶转等方法。 用变锅转的方法增加轴向均匀性是非常有效的。 氧径向均匀性的控制 氧径向均匀性的控制除了热场的均匀性外，最有效的方法就是增大晶转，晶转越高，氧径向均匀性越好。 硅中碳 直拉硅中的碳主要来源于拉晶过程中石英坩埚和石墨坩埚接触面反应生成的CO气体，研究者指出在c-sio2系中可能有六种反应，主要的反应是 c+ sio2 → sio +co 反应生成 的CO被熔体吸收而进入熔硅中并最终进入硅晶体中，硅中碳基本位于替位位置。 碳的测量 在替位碳的吸收峰（607cm-1 ）附近存在着硅晶格的强吸收带（610cm-1），故碳的红外测量必须采用差示光谱法，并且碳的测量存在一个检测极限，一般为3X 105cm-3 硅中碳的基本性质 硅中的碳是一种有害的杂质，它使器件的击穿电压大大降低，漏电流增加，在晶体生长中应尽力避免碳杂质的引入。 碳在硅中的分凝系数远小于1，一般认为是0.07最近有报道认为是0.058。拉晶生长时，由于它的分凝系数小，所以，碳在晶体中的浓度分布呈头低尾高分布和氧沿晶体生长方向的浓度分布恰好相反。 直拉硅中的过饱和氧在热处理过程中会产生氧沉淀，一般认为碳能促进氧沉淀，特别是低氧浓度的硅样品中，碳对氧沉淀有强烈的促进作用。 碳在硅中不仅影响氧沉淀的数量，而且影响氧沉淀的形貌。 碳的有害作用 1.碳的存在减小了硅的晶格参数，硅片的条 纹可能与碳的不均匀分布有关； 2.碳的作用相当于杂质点，在那里能形成沉淀； 3.碳能降低少数载流子寿命； 4.碳使硼的分布不均匀； 碳的控制 目前的研究表明，碳含量越小越好。碳的控制主要从热场石墨部件的加工工艺及纯度，炉内气氛等条件考虑。 * * *