第2讲 2.3 CMOS门.pptVIP

复习： N沟道增强型MOS管结构及符号 uDS ＝0时，uGS对导电沟道的影响 uGS大于UGS(th)时 uDS对iD的影响 N沟道增强型MOS管的特性曲线 P沟道MOS管的特性曲线与N沟道管有对偶性 2.3.1 CMOS反相器（熟练掌握） 2.3.1 CMOS反相器（熟练掌握） 2.3.1 CMOS反相器（熟练掌握） 2.3.1 CMOS反相器（熟练掌握） 2.3 CMOS门电路 + - 转移特性 iD /mA 4 2 6 4 3 2 1 uGS /V UTN -2 -4 0 -1 -2 -3 -4 -6 UTP 条件：VDDUTN+ UTP +VDD +10V B1 G1 D1 S1 uA uY TN TP B2 D2 S2 G2 VSS + - uGSN + - uGSP 一、电路组成及工作原理 A Y 1 0V +10V uA uGSN uGSP TN TP uY 0 V UTN UTP 截止 导通 10 V 10 V UTN UTP 导通 截止 0 V 设：UTN = 2 V, UTP = - 2 V iD 4 2 6 4 3 2 1 uGS UTN -2 -4 0 -1 -2 -6 UTP 输入端保护电路: ① 0 uA VDD + 0.7 ② uA VDD + 0.7 D 导通电压:0.5 ~ 0.7 V ③ uA - 0.7 D导通时限制了C两端电压增加 保护网络 +VDD uY uA TP D1 C1 C2 RS TN D2 D3 VSS D1、D2、D3 截止 D2、D3 导通 uG = VDD + 0.7 D1 导通 uG = - 0.7 C1、C2 — 栅极等效输入电容 二、静态特性 1. 电压传输特性： iD +VDD B1 G1 D1 S1 + uI - uO TN TP B2 D2 S2 G2 VSS A B C D E F UTN VDD UTH UTP UNL UNH AB 段： uI UTN ， uO = VDD 、 iD ? 0， 功耗极小。 0 uO /V uI /V TN 截止、TP 导通， BC 段： TN 导通，uO 略下降。 CD 段： TN、TP 均导通。 DE、EF 段： 与 BC、AB 段对应，TN、TP 的状态与之相反。 阈值电压 输入电平允许波动的最大范围。 UNL： 输入低电平噪声容限。 UNH： 输入高电平噪声容限。 = 0.3VDD 噪声容限： 2. 电流传输特性： iD +VDD B1 G1 D1 S1 + uI - uO TN TP B2 D2 S2 G2 VSS A B C D E F UTN VDD UTH UTP UNL UNH 0 uO / V uI / V A B C D E F 0 iD / mA uI / V UTH 电压传输特性 电流传输特性 AB、EF 段： TN、TP总有一个为 截止状态，故 iD ? 0 。 CD 段： TN、Tp 均导通,两管 iD = iD（max) 达到最大。 阈值电压： UTH = 0.5 VDD （VDD = 3 ~ 18 V） 2. 3. 2 CMOS 与非门、或非门、与门和或门 A B TN1 TN2 TP1 TP2 Y 0 0 0 1 1 0 1 1 截 截 通 通 通 通 通 通 截 通 截 截 截 截 通 截 1 1 1 0 与非门 一、CMOS 与非门（上并下串） uA +VDD +10V V SS T P1 T N1 T P2 T N2 A B Y uB uY A B 0 0 1 0 0 1 1 1 Y = 或非门 二、CMOS 或非门（上串下并） uA +VDD +10V V SS T P1 T N1 T N2 T P2 A B Y uB uY A B TN1 TN2 TP1 TP2 Y 0 0 0 1 1 0 1 1 截 截 通 通 通 通 通 通 截 通 截 截 截 截 通 截 1 0 0 0 A B ≥1 0 0 1 0 0 1 1 1 2. 3. 2 CMOS 与非门、或非门、与门和或门 三、CMOS 与门和或门 1. CMOS 与门 A B Y 1 +VDD V SS T P1 T N1 T P2 T N2 A B Y A B Y +VDD B1 G1 D1 S1 A TN TP B2 D2 S2 G2 VSS 2. CMOS 或门 Y 1 +VDD B1 G1 D1 S1 A TN TP B2 D2 S2 G2 VSS A B ≥1 A B Y ≥1 +VDD V SS T P1 T N1 T N2 T P2 A B Y 四、带