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单多晶制基础知识
单晶“金字塔”损伤图 共同探讨、进步 谢谢大家! 单多晶制绒基础知识 朱勋坤 天达光伏 目 录 一、制绒目的和作用 二、单晶制绒原理 三、多晶酸制绒原理 四、制绒生产过程控制 五、HCL及HF漂洗过程 六、其他注意事项 一、制绒目的和作用 1.1 制绒分类: 按硅原料分类可分为单晶制绒与多晶制绒; 按腐蚀液的酸碱性可分为酸制绒与碱制绒。 一般情况下: 单晶硅片使用碱性(NaOH溶液)化学溶液进行绒面制备 多晶硅片使用酸性(HF、HNO3混合溶液)化学溶液进行绒面制备 1.2 制绒目的 在生产中使用碱处理是为了得到金字塔状绒面;用酸处理是为了得到虫孔状绒面。不管是哪种绒面,都可以提高硅片的陷光作用。 1、去除硅片损伤层 2、对硅片表面进行织构 1.3 制绒的作用 绒面具有受光面积大,反射率低 的特点。可提高单晶硅太阳电池的短路电流,从而提高太阳电池的光电转换效率。 1.利用陷光原理减少光的反射,由于入射光在表面的多次反射和折射,增加 了光的吸收; 2.增加电池片的有效工作面积(PN 结面积) 增加了电池与电极之间的接触面积,减小了接 触电阻。 陷光原理:当光入射到一定角度的斜面,光会反射到另一角度的斜面,形成二次或更多次吸收,从而增加吸收率。陷光原理如图所示: 当一束强度为I0的光投射(垂直)到图中的A点,产生反射光I1和进入硅中的折射光I2。反射光I1可以继续投射到另一方锥的B点,产生二次反射光I3和进入半导 体的折射光I4;而对光面电池就不产生这第二次的入射。经计算可知还有11%的二次反射光可能进行第三次反射和折射,由此可算得绒面的反射率为 9.04%。 B A I0 I1 I2 I3 I4 二、单晶制绒原理 单晶制绒原理:利用碱性溶液对单晶硅片进行各向异性腐蚀的特点来制备绒面。 从本质上讲,绒面形成过程是: NaOH溶液对不同晶面的腐蚀速率不同,(100)面的腐蚀速度比(111)面大十倍以上,所以(100)晶向的单晶硅片经各向异性腐蚀后,最终在表面形成许许多多表面为(111)的四面方锥体,即 “金字塔”结构。 化学反应方程式 Si + 2NaOH + H2O = Na2SiO3 + 2H2 当各向异性因子=10时 (所谓各向异性因子就是(100)面与(111)面单晶硅腐蚀速率之比),可以得到整齐均匀的金字塔形的角锥体组成的绒面。 生产中我们采用电阻率为0.5~3Ω.cm,晶向为(100)的P型单晶硅片进行绒面腐蚀。在较高的温度下,碱性水溶液中的NaOH会电离或者水解出OH离子,沿(100)晶向的单晶晶体缺陷处进行各向异性腐蚀,单晶硅会发生如下的腐蚀反应: 三、多晶酸制绒原理 3.1多晶硅绒面制备方法 多晶硅表面由于存在多种晶向,不如(100)晶向的单晶硅那样能利用各向异性化学腐蚀得到理想的绒面结构,因而对于多晶硅片,目前主要采用各向同性的酸腐方法来制备绒面。 主要方法:是利用硝酸和氢氟酸、去离子水来配制酸性腐蚀液。对于多晶硅片进行各向同性腐蚀,在硅片表面形成蜂窝状的绒面结构,从而提高太阳电池的光电转换效率。 3.2 多晶酸制绒原理 根据 溶液对硅的各向同性腐蚀特性,在硅片表面进行织构化处理而形成绒面。 1.第一步:硅的氧化 硝酸和氢氟酸的混合液可以起到很好的腐蚀作用,硝酸的作用是使单质硅氧化为二氧化硅,其反应为: 3Si+4HNO3===3SiO2+2HO2+4NO? 这样一系列化学反应最终的结果是造成硅的表面被快速氧化,硝酸被还原成氮氧化物 2.第二步:二氧化硅的溶解 二氧化硅生成以后,很快与氢氟酸反应 SiO2 + 4HF = SiF4 + 2H2O(四氟化硅是气体) SiF4 + 2HF = H2SiF6 总反应: SiO2 + 6HF = H2SiF6 + 2H2O 终反应掉的硅以六氟硅酸的形式进入溶液并溶于水。 这样,二氧化硅被溶解之后,硅又重新露出来,一步、二步的反应不断重复,硅片就可以被持续的腐蚀下去。 单晶绒面图片 多晶绒面图片 4.1、单晶制绒液的组成及其作用 制绒溶液主要是由碱性物质(NaOH、KOH、Na2CO3等)及添加剂(硅酸钠、酒精或异丙醇)组成的混合溶液。 碱性物质发生电离或者水解出OH离子与硅发生反应,从而形成绒面。碱的适宜浓度为5%以下。 酒精或异丙醇有三个作用:a、协助氢气泡从硅片表面脱附;b、减缓硅的腐蚀速度;c、调节各向异性因子。酒精或异丙醇的适宜浓度为5~10%。 四、制绒生产过程控制 4.2初抛液的要求
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