大學學術追求卓越發展計畫——机能性分子及薄材料的制作及应用研究.pptVIP

大學學術追求卓越發展計畫 磷光電致發光材料 ?高效率橘紅色發光材料銥-2及銥-4 Device Performance based on銥-2 and 銥-4 高效率紅色發光材料銥-6及銥-15 新型銥錯合物磷光發光材料[Ir(AP)2(acac)] (PETP)2Ir(acac) 結構圖 Device Performance EL spectra of devices based on [Ir(AP)2(acac)] 高效率磷光發光材料銥-piq衍生物 新分子型有機電致發光材料 多環芳香族藍色發光材料 高效率綠色發光材料 High Efficiency Fluorescent Material ITO/m-MTDATA (10 nm)/NPB (30 nm)/TNB02 (20 nm)/TPBI (10 nm)/Alq3 (30 nm)/Mg:Ag (55 nm) 新有機金屬電致發光材料 UV and PL Spectra of Europium Complexes X-ray of d-Alq 白光元件 金屬氧化物薄膜的製作及應用研究 孔洞性分離膜的研究 C. 中孔洞二氧化矽低界電薄膜 我們提出以旋轉塗佈的方式將含P123高分子有機模板分子及改質劑TMCS的二氧化矽前驅溶液沉積於矽晶片上，經烘烤、鍛燒得到中孔洞二氧化矽薄膜。鍛燒後薄膜的吸水問題，可由調整改質劑在前驅液中的濃度及前驅液的老化時間來改善，使薄膜具有穩定的1.7至2.1低的介電常數。有應用於IC製程中作為隔電層材料的潛力。中孔洞薄膜機械強度、介電常數與孔洞性質的關係 使用薄膜X光繞射分析其孔道排列結構及對稱情形。用X光反射光譜法分析膜厚、密度及空隙度，以氪氣吸附分析其孔洞平均大小及孔洞體積。發現當孔隙度增加時，介電常數會降低，但機械強度也會降低。此關係對中孔洞薄膜在應用上的控制非常重要。微孔洞及中孔洞薄膜孔洞性質的分析方法建立 以Kr等溫吸附測薄膜的孔洞直徑及其分佈，還有薄膜的孔隙度。同時與X光反射法得到的孔隙度數值相比較。建立了薄膜孔洞性質特別是中孔洞的分析方法。另以同步輻射X光繞射分析在陶瓷管基材上的微孔洞沸石薄膜。用此等方法可監測薄膜的性質。 四年計畫執行總成果 專利申請 “Self-Reducible Copper (II) Source Reagents for Chemical Vapor Deposition of Copper Metal”, Y. Chi, U. S. Patent No. US 6,369,256 B1 (2002). “CoO as sensing material for CO sensor”, Yeh, C. T., Patent to Republic of China (2002). “芳香族化合物及有機發光二極體”，鄭建鴻，中華民國專利申請案 “使用芙化合物作為電洞注入修飾層或電洞傳遞層的有機發光二極體”，鄭建鴻，中華民國專利申請案 “含有新穎銥錯合物作為磷光發光體的有機發光二極體”，鄭建鴻，中華民國專利申請案 “發光元件及銥錯合物”，鄭建鴻，中華民國專利申請案 “銥錯合物發光材料以及有機發光二極體元件”，鄭建鴻，中華民國專利申請案 “Aromatic Compounds and Organic Light-Emitting Diodes”, Cheng, C. H., US Patent filed 2003/4/17, filing number 10/417252; JP Patent filed 2003/5/20, filing number 2003-141967; Korea Patent 2003/5/20, filing number 10-2003-0031880. 技術轉移 45 oC /150 mtorr 55 97.0 82 Ru(nbd)(hfac)2 Ru-A6 60 oC /140 mtorr 45 96.7 67,90,110 Ru(nbd)(tfac)2 Ru-A5 65 oC /139 mtorr 60 99.6 126 Ru(nbd)(tmhd)2 Ru-A4 Sublimation condition Yield(%) TG/DTA(%) Mp.(oC) Formula RuA4 RuA5 RuA6 釕金屬前驅物合成 季昀實驗室 Thickness : 280 nm Resistivity : 15.7 μΩ-cm Composition : Ru : 98.2 / O : 1.8% 釕金屬薄膜化學氣相沉積 　　利用新型釕金屬前