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3.2.1 TTL反相器的工作原理 * * 第3章 逻辑门电路 逻辑门：完成一些基本逻辑功能的电子电路。现使用的 主要为集成逻辑门。 集成电路分类： 小规模集成电路(SSI): 1~10门/片 或1~100个元件/片； 1. 按规模分类 中规模集成电路(MSI): 10~100门/片 或100~1000个元件/片； 大规模集成电路(LSI): 100~10000门/片 或1000~100000个元件/片； 超大规模集成电路(VLSI): 10000门/片以上或100000个元件/片以上. 2、 逻辑门电路的分类 二极管门电路 三极管门电路 TTL门电路 MOS门电路 PMOS门 CMOS门 逻辑门电路 分立门电路 集成门电路 NMOS门 晶体管的开关特性 在数字电路中,常将半导体二极管,三极管和场效应管作 为开关元件使用。 理想开关: 接通时阻抗为零;断开时阻抗为无穷大; 两状态之间的转换时间为零。 实际半导体开关: 导通时具有一定的内阻;截止时有一定 的反向电流;两状态之间的转换需要时间。 复习 1 半导体二极管的开关特性 下面以硅二极管为例 D (1) 导通条件及导通时的特点 D + - Vi 0.7 R 电路图 + - Vi 0.7 R VD 近似等 效电路 + - Vi 0.7 R K 简化等 效电路 (2) 截止条件及截止时的特点 D + - Vi0.7 R 电路图 + - Vi 0.7 R K 简化等 效电路 (3) 开关时间 ① 开启时间: 由反向截止转换为正向导通所需要的时间. 二极管的开启时间很小,可忽略不计。 ②关断时间: 由正向导通转换为反向截止所需要的时间。 二极管的关断时间大约几纳秒。 RC IC Rb IB Vi Vo Vcc 三极管开关电路 (1) 饱和导通条件及饱和时的特点 饱和导通条件: IB≥IBS= ICS β ≈ VCC βRC 饱和导通时的特点: VBE≈0.7V VCE=VCES=0.1~0.3V 发射极和集电极之间如同闭合的开关 2 半导体三极管的开关特性 (2) 截止条件及截止时的特点 截止条件: VBE0.5V (硅三极管发射结导通电压) 截止时的特点: 发射结和集电结均为反向偏置,IB≈IC≈0, 发射极和集电极之间如同断开的开关。 + _ + _ 0.7V 0.1~0.3V b c e 饱和时 e c b 截止时 三极管开关的近 似直流等效电路 (3) 开关时间 开启时间ton : 三极管由截止到饱和所需要的时间, 纳秒(ns)级。 关断时间toff : 三极管饱和由到截止所需要的时间, 纳秒(ns)级, toff ton 。 toff的大小与工作时三极管饱和导通的深度有关,饱和程度越深, toff 越长,反之则越短。 3.1 分立元件门电路 3.1.1 二极管门电路 1. 二极管与门 A B C F 逻辑符号 DA DB DC RO VCC(5V) A B C F 原理图 假设：二极管为理想开关； 输入信号VIL=0V,VIH=3V. 设0V~0.7V 为逻辑0 2V~3.7V为逻辑1 综上所述:电路为二极管与门 DA DB DC RO VCC(5V) A B C F 分两种情况分析： 1) A、B、C三端输入均为3V 二极管DA、DB、DC均导通 F=3V 3V 3V 3V 3V 2) A、B、C三端输入有0V信号输入时，如A、B为0V, C端输入3V 二极管DA、DB导通,DC截止 F=0V 0V 0V 3V 0V 2. 二极管或门 ≥1 A B C F 逻辑符号 3V 3V 3V 0V 0V 0V 0V 0V DA DB DC RO VCC(-5V) A B C F 原理图 假设：二极管为理想开关； 输入信号VIL=0V,VIH=3V。 分两种情况分析： A、B、C三端输入 均为0V，二极管DA、DB、DC均导通 F=0V 2) A、B、C三端输入有 3V信号输入时，如A、B为3V, C端输入0V， 二极管DA、DB导通,DC 截止