次世代薄膜太阳光电设备之发展机会第三章CIGS可行制程分析1.docxVIP

第三章 CIGS薄膜太陽能電池的製程分析第一節 CIGS薄膜太陽能電池的技術概述薄膜太陽能電池（thin film solar cell）技術發展迄今已逾30年，可達到量產階段且有模組產品問世之薄膜太陽能技術有三種，即：矽（Si）薄膜太陽能電池、銅銦鎵硒（CuInGaSe2）薄膜太陽能電池、與碲化鎘（CdTe）薄膜太陽能電池。目前，各種薄膜太陽能電池的光電轉換效率如表3-1所示，元件部分的光電轉換效率皆可達10%上，特別是銅銦鎵硒（CIGS）薄膜太陽能電池更可達20%，已接近單晶矽與多晶矽太陽能電池的效率表現；在模組部分，只有CIGS與CdTe兩種薄膜太陽能電池在大模組（60 cm x 120 cm）的光電轉換效率可達到10%，矽薄膜部分並未達到此一水準，必須利用多層接面（multi-junction）的方式，如a-Si/nc-Si結構，才能將模組的光電轉換效率提升至10%以上。表3-1 各種薄膜太陽能電池的光電轉換效率根據歐洲太陽能工業協會（EPIA）的預測，未來薄膜太陽能電池模組的技術發展大致依循現有趨勢，以CIGS薄膜太陽能電池模組的提升空間最大，預期2030年模組的光電轉換效率將可超越25%，矽薄膜與CdTe兩種薄膜太陽能電池模組則僅20%左右（詳見圖3-1），顯示出CIGS薄膜太陽能電池模組具有較高的光電轉換效率。因此，利用高模組效率以降低模組成本，使得CIGS薄膜太陽能電池模組有機會成為此類電池中成本最低者。在開發高效率薄膜太陽能電池的前提下，勢必會投入更多的資源於CIGS薄膜太陽能電池部分，以加速整個CIGS薄膜太陽能電池產業的發展，藉此置換高耗能與高成本的矽基太陽能電池。圖3-12005-2035年各種薄膜太陽能電池模組的光電轉換效率一、CIGS薄膜太陽能電池元件的結構介紹CIGS薄膜太陽能電池的元件結構如圖3-2所示，一般採用鈉玻璃（soda-lime glass）、金屬、或Polyimide作為基板的材料，下電極部分則以鉬（Mo）金屬最為合適，此乃因Mo金屬容易與CIGS薄膜形成歐姆接觸（ohmic contact），有效達到電流傳導的目的，在高溫的加工環境下也不易被硒化，故成為最常使用的電極材料。在CIGS光吸收層的製作上，已有多種製程技術被開發出來，如濺鍍、蒸鍍、電鍍、與印刷製程等，依據加工過程是否為真空狀態又區分為真空與非真空製程，不管利用哪種製程技術所產生的CIGS薄膜，厚度約在1,500 nm至2,500 nm之間，屬於多晶型（poly- crystalline）非單晶材質，具有p型半導體材料的特性；接著，在CIGS薄膜表面製作n型半導體材料，與CIGS薄膜搭配最佳的材料為CdS薄膜，由美國再生能源實驗室（NREL）所開發的CdS/CIGS/Mo薄膜，光電轉換效率可達20%的水準。最上層為透明導電層，使用的材料以氧化鋅（ZnO）系列為主，通常會參雜金屬材料以增加導電性，如Al、Ga等；倘若採用元件型態出現時，透明導電層的上方還會再製作電流收集金屬線，藉此提升太陽能電池元件的導電效果，常用的金屬材料有Al、Ag、Cu、Au與Ni等。雖然，許多專家對CIGS薄膜太陽能電池模組的發展仍存在諸多疑問，如：銦、鎵等貴金屬的礦藏量有限，可能衍生材料成本高漲的問題；以及CdS薄膜含鎘可能造成的環保問題；然而，ZnO/CdS/CIGS/Mo結構仍是目前公認最具成本效率的薄膜太陽能電池。資料來源：ITRI PVCT (2009/11)圖3-2 CIGS薄膜太陽能電池元件的結構示意圖二、CIGS薄膜太陽能電池模組的結構介紹 CIGS薄膜太陽能電池模組的製作方式與元件略有不同，主要差異為元件有電流收集金屬線（grid），此部分在模組製作時則較少被採用。多數CIGS薄膜太陽能電池模組採用串連的結構設計，採用雷射與機械式的劃線技術，分別形成P1、P2、與P3等三道刮痕，此區域又稱為無效區，即無發電效果之區域，才能將各層材料形成串連的結構，如圖3-3所示；由於每個薄膜太陽能電池模組的面積不同，可能涵蓋數十個至數百個元件，每個薄膜太陽能電池元件都有光電轉換區與無效區，光電轉換區即吸收光子後產生電子的區域，再經由串連結構形成高電壓與大電流。資料來源：ITRI PVCT (2009/11)圖3-3 CIGS薄膜太陽能電池模組的串連結構示意圖三、CIGS薄膜太陽能電池模組的製作流程CIGS薄膜太陽能電池模組的製作，必須經過Substrate Cleaning、Deposition of Metal Electrode、Metal Electrode Scribing等12道程序（如圖3-4所示）。詳細內容說明如下：Substrate Cleaning：不管是使用玻璃、金屬或高分子作為基板，CIGS薄膜太陽能電池模組都必須