模拟电子术基础第三章场效应管.pptVIP

测得某放大电路中三个MOS管的三个电极的电位及它们的开启电压如表所示。试分析各管的工作状态（夹断区、恒流区、可变电阻区）。 ２．应用微变等效电路分析法分析场效应管放大电路 场效应管的三种基本接法： 共源、共漏和共栅分别与双极型晶体管的共射、共集和共基对应，相应的输出量与输入量之间的大小和相位关系一致，可以实现反相电压放大、电压跟随、电流跟随的功能。 4 3 2 1 0 4 8 12 UGS =1V –2V –3V 输出特性 转移特性 N沟道耗尽型MOS管的特性曲线 1 2 3 0V –1 0 1 2 –1 –2 –3 UGS / V 2. 特性曲线 ?ID ?UGS UGs(off) UDS / V UDS =10V ID /mA ID /mA 场效应管的符号及特性 (p76） 结型N沟道 结型P沟道 NMOS增强型 NMOS耗尽型 PMOS增强型 PMOS耗尽型 （+） （+） （+） （+） （-） （-） （-） （-） 5 0 6 -4 T3 10 3 3 -4 T2 3 1 -5 4 T1 工作状态 UD/V UG/V Us/V UGS(th)/V 管号 恒流区 夹断区 可变电阻区 增强型 NMOS PMOS 3.1.3 场效应管的主要参数 1、直流参数 （1）开启电压UGS(th) UDS为固定值能产生漏极电流ID所需的栅-源电压UGS的最小值 它是增强型MOS管的参数。（NMOS管为正，PMOS管为负） （ 2）夹断电压 UGS(off) UDS为固定值使漏极电流近似等于零时所需的栅-源电压。 是结型场效应管和耗尽型MOS管的参数（NMOS管为负， PMOS管为正）。 （4）直流输入电阻RGS（DC） 栅-源电压与栅极电流的比值，其值很高, 一般为107-1010左右。 （3）饱和漏极电流IDSS 对于耗尽型MOS管,在UGS =0情况下产生 预夹断时的漏极电流。 2、交流参数 gm=?iD / ? uGS? UDS =常数 gm是衡量栅-源电压对漏极电流控制能力的一个重要参数。 （1）低频跨导 gm 管子工作在恒流区并且 UDS为常数时，漏极电流的微变量与引起这个变化的栅-源电压的微变量之比称为低频跨导,即 （2）交流输出电阻rds rds反映了uDS对iD的影响，是输出特性曲线上Q点处切线斜率的倒数． rds在恒流区很大。 3、极限参数 （1）最大漏极电流IDM (２)最大漏源电压U DS(BR) (3)最大栅源电压U GS(BR) (4)最大耗散功率P DM 3.1.4 场效应管与双极型晶体管的比较 场效应管的栅极g、源极s、漏极d分别对应于晶体管的基极b、发射极e、集电极c 1）FET是电压控制元件，输入阻抗很高； 　BJT 是电流控制元件，输入阻抗较小； 2）FET（单极型）多子参与导电，温度稳定性好，抗辐射能力强， FET噪声系数小； 　BJT为多子和少子同时参与导电，温度特性能差； 3）FET漏极与源极可以互换使用；BJT的发射极与集电极一般不能互换使用； FET比BJT的种类多，组成电路更灵活； 4）FET工艺简单，功耗小，电源范围宽，更多用于大规模和超大规模集成电路。 ５）ＭＯＳ管的栅极绝缘，外界感应电荷不易泄放． 例 已知某管的输出特性曲线如图所示。试分析该管是 什么类型的场效应管。 N沟道增强型MOS管。 2 1 0 5 10 15 10V 8V 6V uDS / V iD /mA 4V 开启电压UGS(th)=4V 例 电路及管子的输出特性如图所示。试分析uI为0、8V 和10V三种情况下uO分别为几伏。 +VDD(+15V) RD 5kΩ uo + - uI + - 2 1 0 5 10 15 10V 8V 6V uDS / V iD /mA 4V +VDD(+15V) RD 5kΩ uo + - uI + - 2 1 0 5 10 15 10V 8V 6V uDS / V iD /mA 4V （3）当UGS(th)=10V时，若认为 T工作在恒流区，则iD为2.2mA, uo=4V,而uGS=10V时的预夹断电压为uDS=6V说明管子工作在可变电阻区。 +VDD(+15V) RD 5kΩ uo + - uI + - uDS / V 2 1 0 5 10 15 10V 8V 6V iD /mA 4V 3 场效应管组成的放大电路与双极型晶体管一样，必须建立合适的静