CVD工艺中半导体硅片表面颗粒的分析与处理研究.docVIP

目录 前言 1 第1章 绪论 1 1.1 表面颗粒问题的出现 1 1.2 研究内容和研究方法 5 1.2.1研究内容 5 1.2.2研究方法 6 第2章 硅片颗粒的产生与处理方法 6 2.1 污染物的分类 6 2.2 颗粒问题 7 2.2.1 颗粒的主要危害 8 2.2.2 颗粒的主要来源 8 2.3 预清洗技术 10 第3章 CVD工艺中表面颗粒问题的分析 12 3.1 CVD工艺的基本知识 12 3.1.1 CVD系统的分类及作用 13 3.1.2 CVD工艺在实际生产中的应用 14 3.2 CVD工艺中表面颗粒问题来源分析 15 3.2.1 CVD工艺中炉内反应过程分析 15 3.2.2 预清洗过程分析 20 第4章 炉内反应中影响表面颗粒的控制参数的实验研究 23 4.1 引言 23 4.2 实验 23 4.2.1 实验设备和材料 23 4.2.2 实验过程分析 23 4.3 实验结论 24 第5章 烘干过程中影响表面颗粒的控制参数的实验研究 27 5.1 引言 27 5.2 实验 27 5.2.1 实验设备和材料 27 5.2.2 实验过程分析 27 5.3 实验结论 28 第6章 结论 30 6.1 结论 30 6.2 结论的验证 30 致谢 33 参考文献 34 前言 随着科技的进步，我们进入了新的技术革命时期,世界各国的经济结构不断做着调整，像美国、日本以