模拟电路基础 2009129 第十六次课.pptVIP

* * Chap4 MOSFET及其放大电路 （8学时，第十六次课） ylzhang@ee.uestc.edu.cn 4.5 单级集成MOSFET放大器 有源负载→代替分立元件电路中的电阻在集成电路中作为负载使用的有源元器件 左图为E-NMOSFET作为有源负载的放大电路；其中 MD为驱动场效应管， ML为负载场效应管。 E-MOSFET和D-MOSFET均可用作有源负载。 增强型负载ML工作在放大区；设置适当的VGS使MD也工作于放大区。 电路分析→ 小信号源电压增益为： 一般来说：gmL1/rdsL和gmD1/rdsD ， 交流小信号等效电路 作为有源电阻， ML从源极看入的等效电阻RoL=1/gmL//rdsL。 因为驱动管和负载管的漏极电流相同，又: 结论：有源负载集成MOSFET放大器的 电压增益与两个场效应管的大小有关。 题型：设计一个带有增强型负载的MOSFET放大器，要求其工作点置于放大区的中心，且源电压增益等于某值。 例4.18 电路如图所示。场效应管参数为 VTNL=VTND=1V， K’n=30μA/V2，(W/L)L=1。电路参数VDD=5V， 设计场效应管参数使电压增益|Avs|=10。 关键→设计VGS使ML、MD均工作于放大区 分析→ (2) 求电阻区与放大区的临界点 (1) 依据①→MOS管的伏安特性曲线 依据②→外围电路 →分析各物理量临界值的意义 →求解有关物理量 负载管ML的转移特性曲线 驱动管MD的输出特性曲线 依据①→MOS管的伏安特性曲线 →分析各物理量临界值的意义（一） 驱动管MD的转移特性曲线 依据①→MOS管的伏安特性曲线 →分析各物理量临界值的意义（二） 由于两管均工作于放大区（VGSDVTND，VGSLVTNL） 关键→设计VGS使MD工作于放大区 依据②→外围电路 :求解有关物理量 关键→ML工作于放大区，要求VDSL=VGSLVTNL 讨论→要产生10倍的电压增益，所需的两个晶体管的大小有很大的差别。更大的小信号增益可通过耗尽型负载（参看教材p.168例4.28）或CMOS电路获得。 1. E-PMOSFET结构 N P+ S G D P+ 以N型半导体作衬底 形成两个PN结 SiO2保护层 引出两个电极 引出两个电极 引出栅极 Al 从衬底引出电极B 两边扩散两个高浓度的P区 一. P沟道增强型MOSFET 2. E-PMOSFET工作原理 N P+ S G D P+ – + + – 正常放大时外加偏置电压的要求 0 GS V 0 DS V 对处于放大区的E-PMOSFET，有: VGSVTP0，VDSVDS(sat)= VGS-VTP 例4.23 电路如图所示。场效应管参数 VTP=-0.8V， Kp=0.2mA/V2 。 电路参数R1=R2=50k?，VDD=5V，RD=7.5k?。 求ID和VDS。 分析→ 假设FET工作在放大区，则： 题型：P-EMOSFET共源极偏置电路分析 ? 假设不成立，则FET工作在电阻区， 题型：P沟道增强型MOSFET电路的交流小信号分析 “设计题”→设计一个特定的P-EMOSFET源极跟随器 例4.25 电路如图所示。场效应管参数 VTP=-2V， K’p=40?A/V2 。 ?=0。电路参数VDD=20V ，Rg=4k?。 设计电路，使VDSQ=-10V， IDQ=-2.5mA， Ri=50k?。 设计场效应管的宽长比，使小信号源电压增益Avs=0.9。 分析→ 题型：P沟道增强型MOSFET电路的交流小信号分析 “设计题”→设计一个特定的P-EMOSFET源极跟随器 PMOS场效应管 PMOS管结构和工作原理与NMOS管类似，但正常放大时所外加的直流偏置极性与NMOS管相反。 PMOS管的优点是工艺简单，制作方便；缺点是外加直流偏置为负电源，难与别的管子制作的电路接口。 PMOS管速度较低，现已很少单独使用，主要用于和NMOS管构成CMOS电路。 增强型PMOS管的开启电压VTP是负值，而耗尽型的P沟道场效应管的夹断电压VPP是正值。 二. 其他类型的场效应管 制造时在栅极下方的绝缘层中掺入了大量的金属正离子。所以当vGS=0时，这些正离子已经在感应出反型层，在漏源之间形成了沟道。于是无须加门限电压（vGS=0），只要有漏源电压，就有漏极电流存在。 1. N沟道耗尽型MOSFET 电路符号 当vGS＞0 时，将使i