模电第3版电教案12.pptVIP

1.2　半导体二极管 1.2.1　半导体二极管的结构和类型 1.2.2　半导体二极管的伏安特性 1.2.3　半导体二极管的使用知识 1.2.1 半导体二极管的结构和类型 构成： PN 结 + 引线 + 管壳 = 二极管(Diode) 符号： 阳(正)极 a k 阴(负)极 分类： 按材料分 硅二极管 锗二极管 按用途分 普通二极管 整流二极管 稳压二极管 开关二极管 按结构工艺分 点接触型 面接触型 平面型 点接触型 阳极 引线 触丝 N 型锗片 管壳 阴极 引线 特点： PN结面积小 结电容小 适于高频、小电流 应用： 小功率整流 高频检波 开关电路 阴极引线 面接触型 N型硅 PN 结 阳极引线 铝合金 小球 支架 金锑 合金 特点： PN结面积大 结电容小 适于低频、大电流 (几百毫安以上) 应用：整流 阳极引线 阴极引线 集成电路中的 平面型 P N P 型支持衬底 二极管实物 1.2.2 半导体二极管的伏安特性 一、PN 结的伏安特性方程 反向饱和电流 温度的 电压当量 电子电量 1.602 ?10–23C 玻尔兹曼常数1.38?10–23J/K 当 T = 300(27?C)： UT = 26 mV U = 0时， I = 0； U 0时， U 0时， I ? –IS； 二、二极管的伏安特性 O UD /V ID /mA 正向特性 Uth 死区 电压 ID = 0 Uth = 0.5 V 0.1 V (硅管) (锗管) U ? Uth ID 急剧上升 0 ? U ? Uth Uon = (0.6 ? 0.8) V 硅管 0.7 V (0.1 ? 0.3) V 锗管 0.2 V 反向特性 IS U (BR) 反向击穿 U(BR) ? U ? 0 ID = IS 0.1 ?A(硅) 几十 ?A (锗) U U(BR) 反向电流急剧增大 (反向击穿) 反向击穿类型： 电击穿 热击穿 反向击穿原因： 齐纳击穿： (Zener) 反向电场太强，将电子强行拉出共价键。 (击穿电压 6 V，负温度系数) 雪崩击穿： 反向电场使电子加速，动能增大，撞击 使自由电子数突增。 — PN 结未损坏，断电即恢复。 — PN 结烧毁。 (击穿电压 6 V，正温度系数) 击穿电压在 6 V 左右时，温度系数趋近零。 硅管的伏安特性 锗管的伏安特性 60 40 20 – 0.02 – 0.04 0 0.4 0.8 –25 –50 ID / mA UD / V ID / mA UD / V 0.2 0.4 – 25 – 50 5 10 15 –0.01 –0.02 0 三、温度对二极管特性的影响 60 40 20 – 0.02 0 0.4 –25 –50 ID / mA UD / V 20?C 90?C T 升高时， Uon以 (2 ? 2.5) mV/ ?C 下降 温度每升高10 ?C ，IS约增大1倍 一般， 硅管允许结温 150 ~ 200?C 锗管允许结温 75 ~ 100?C 1.2.3　半导体二极管的使用知识 一、二极管的型号 国标GB249规定： 第一部分 阿拉伯数字表示器件电极数 第二部分 字母 (汉拼)表示器件材料和极性 第三部分 字母 (汉拼)表示器件类型 第四部分 阿拉伯数字表示器件 序号 第五部分 字母 (汉拼)表示 规格号 如硅整流二极管 2 C Z 52 A 二极管 N 型 硅 整流管 序号 规格号 低频大功率管 (f??3MHZ,PC?1W) 高频大功率管 (f??3MHZ,PC?1W) 可控整流器 体效应器件 雪崩管 阶跃恢复管 场效应管 半导体特殊器件 复合管 PIN型管 激光器件 D ? A ? T Y B J CS BT FH PIN JG 普通管 微波管 稳压管 参量管 整流管 整流堆 遂道管 阻尼管 光电器件 开关管 低频小功率管 (f??3MHZ,PC?1W) 高频小功率管 (f??3MHZ,PC?1W) P V W C Z L S N U K X ? G ? N型,锗材料 P型,锗材料 N型,硅材料 P型,硅材料 PNP,锗材料 NPN,锗材料 PNP,硅材料 NPN,硅材料 化合物材料 A B C D A B C D E 二极管 三极管 2 3 意 义 符号 意 义 符号 意 义 符号 意 义 符号 字母 表示规格号 用数字表示器件序号 字母表示器件类型 器件材料和极性 电极数 5 4 3 2 1 表1.2.1 半导体器