3G终端PA市场基本上掌握在四强手中1.docVIP

目前WCDMA终端PA(功率放大器)市场基本上掌握在Anadigics、Triquint、RFMD和Skyworks四家供应商手中，TD-SCDMA终端PA供应商主要有三家，即RFMD、Anadigics和中国瑞迪科(RDA)。3G基站PA供应商主要有TriQuint、飞思卡尔、NXP和英飞凌。 　　3G终端PA的主流制造工艺是砷化镓，CMOS工艺虽然开始渗透到RF前端，但用CMOS工艺制造出来的PA在效率和功率等方面达不到3G终端产品的设计要求，因此CMOS PA基本上将无缘3G市场。目前CMOS PA主要应用在低端GSM/GPRS手机上。 　　TriQuint半导体公司中国区总经理熊挺指出：“CMOS PA虽然有价格优势，但由于其工艺的局限性，功率、效率和线性度等性能一直在追赶砷化镓PA，短期内看不到后来居上的可能性。目前CMOS PA大部分用在中低端手机终端上，如山寨GSM手机。” 　　对于3G基站市场来说，未来的主流发展趋势也将是砷化镓PA，尽管目前GSM/GPRS基站主要采用的是LDMOS PA。 　　熊挺说：“今天的3G基站大部分用LDMOS PA，但未来的3G、LTE基站大部分将采用砷化镓PA。我们开发的28V砷化镓双极HVT工艺可使PA的功率达到100-200W功率，效率高达45%以上。这一性能已超过当今最好的LDMOS PA。” 　　WCDMA终端用PA 　　最近，Anadigics发布了最新型 AWT66xx系列HELP4 WCDMA单频PA，该系列PA包括AWT6621、AWT6622、AWT6624、AWT6625和AWT6628五款产品，每款产品适用于特定的无线频带。 　　与该公司前一代HELP3 WCDMA PA产品相比，AWT66xx系列PA有了两个重要的改进，一是增加了线性度，而是进一步增加了输出功率、提高了效率和降低了静态功耗。 　　“尽管尺寸没有什么变化，仍然是3×3×1mm。”Anadigics CEO Mario Rivas说：“但HELP4 WCDMA PA的最大输出功率从前一代的28.25dBm提高到了28.8dBm，效率从前一代的40%提高到41%，静态电流从前一代的8mA大幅降低到3mA以下。” 　　HELP4 WCDMA PA的其它杰出性能还包括：1）包含高性能的定向耦合器，这使得系统设计师可节省一个外部耦合器；2）每款PA均与HSPA和HSPA+兼容，具有最高的速率等级；3）每款PA均具有三种模式状态，通话时可在多个功率级下获得最高的功率效率，从而可使得电池使用时间可延长高达75％，使手机有超长的通话时间；4）在关机模式下，这些产品的静态电流和泄漏电流均非常低。 　　Anadigics北中国区销售经理Kevin He补充道，HELP4 WCDMA/HSPA PA消耗的静态电流也不到标准的双态PA的1/3，这使得3G手机的待机时间也可得到大幅延长。 　　AWT66xx系列PA目前已进行批量生产，Anadigics可根据客户需求提供全套评估工具。Mario Rivas表示：“高通是我们的一个主要合作伙伴。” 　　TriQuint最近也推出了支持高通(Qualcomm) 3G芯片组的WEDGE PA解决方案，包括针对WCDMA手机的3×3mm TRITON分立放大器模块系列和针对GSM/EDGE手机的HADRON II PA Module功放模块TQM7M5013。 　　TQM7M5013是一种5×5mm四波段HADRON II功放模块，配合TRITON模块使用可提供WCDMA/EDGE手机解决方案。高度通用的TQM7M5013已被设计进今年下半年将推出的十几种3G手机终端中。 　　TriQuint资深销售总监Richard Lin表示：“许多基于高通和英飞凌芯片组的3G方案或终端都采用了我们的PA，而且亚洲和全球几乎所有主要的手机制造商都在使用我们的PA产品。” 　　TQM7M5013是基于前一代HADRON产品TQM7M5012的成功基础上开发的，TQM7M5012占全球EDGE-Polar放大器市场50%的份额。 　　“早期试用的主要用户很满意这款产品的性能和其集成的路线图，我们预计该产品在2010年下半年将有强劲的市场采用率。”TriQuint中国区总经理熊挺说，“我们目前在WCDMA和EDGE PA市场的份额最大，市占率第一。” 　　Richard Lin补充道：“到目前为止，我们的PA产品已卖出2亿5千万颗。这些产品的三大卖点是：业内最高的集成度，一些PAM产品可集成5个PA；业内最低的功耗；上市周期快，我们现在每年的砷化镓PA生产能力超过几个亿，典型交货周期仅需12周。” 　　TriQuint最新3×3mm TRITON分立放大器模