核仪器概论教学课件PPT前置放大器谱仪放大器.ppt

* 2、介绍几种常用的滤波成形电路原理 （1）CR-RC脉冲成形 ①、成形原理 如上图。前放输出信号首先通过CR高通滤波（又称：CR微分器），这将通过衰减低频成分（其中包括许多噪声和非常小部分的信号）而改善信噪比。脉冲的衰减时间通过这个滤波器也变短了。 * 脉冲到达放大器输出端之前，它要通过RC低通滤波（又称：RC积分器），如下图。通过它可衰减高频成分（其中包括很多的噪声）而改善信噪比。 * 下图表示在放大器中，将高通与低通滤波器结合在一起使用的情况。 设高通滤波器中的微分时间常数为τD(τD＝CDRD)，低通滤波器中的积分时间常数为τi(τi＝CiRi)，通常令τ=τD＝τi。 * 上图中，放大器接收前放来的信号后，最终得到一个如图所示的输出脉冲。脉冲的上升沿变慢并在1τ时达到它的最大幅度。衰减返回到基线的时间主要由CR微分电路的时间常数决定。由于前放输出信号本身有一长的衰减时间，因此会有一个小的幅度下冲。下冲的起始点大约在7τ。这个下冲衰减再返回到基线用一个很长的时间常数（由前放输出脉冲的衰减时间常数决定）。 * 前放的输出信号经过如此处理后： a、经推导，成形后脉冲峰值如下式。与输入电荷 量Q成正比。保留了输入信号中的有用信息。 b、基本形状变窄了。前放输出信号的衰减时间常 数为CfRf，成形后脉冲的衰减时间常数为CR。 （前者50μS 或更大，后者一般为几μS量级） (e≈2.7) c、电路有高低通的滤波作用，可有效的抑制来自 前放的信号中的噪声，提高信噪比。 * ◇可用于闪烁探测器谱仪，τ应被选择成至少为 3倍的闪烁体的衰减时间常数。 CR-RC滤波成形的应用： ◇用于半导体探测器的谱仪： 硅带电粒子探测器，τ约为0.5－1μS。 锗和Si（Li）探测器，τ一般约为在6－20μS。 这样长的时间常数对整个谱仪允许接受的最高计数率下降。因此有时会采用小一些的时间常数，牺牲信噪比性能以适应更高的计数率要求。 * FH1047A型电荷灵敏前置放大器（北京核仪器厂生产） 主要用途 ????本仪器配合金硅面垒半导体探测器在室温条件下可与有关插件配成α谱 仪。它用N沟道场效应管作为输入管。 主要技术性能 1．灵敏度： 1×1012V/库仑 或40mV/MeV(Si)。 2．噪声特性： A型：2.2keV+0.05keV/pF 半宽度（Si）， 　　　　　　 (典型值：1.5keV+0.04keV/pF)。 　　　　　 3．输出脉冲上升时间 ≤30ns (外接电容为零)。 4．最大线性幅度输出范围：+2V（负载为1kΩ）。 使用环境 温度范围：0～50℃ 相对湿度：≤90% 课堂讨论： * FH1048A型电压灵敏前置放大器（北京核仪器厂生产） 主要用途 ????本仪器与有关插件配合，用于光电倍增管、正比计数管等探测器的输出，作前级放大使用。 主要技术性能 1．放大倍数： 5倍。 2．稳定性：连续工作八小时，放大倍数变化≤±0.03%。 3．非线性失真系数：积分非线性≤0.5%（外接负载1kΩ,输出幅度3V）。 4．输入阻抗：≥500 kΩ。 5．上升时间：≤30ns。 使用环境 温度范围：0～50℃ 相对湿度：≤90% * 作 业： 回答： 第三章习题 第 3、8、10、11 题 3、谱仪中的前放分成哪两类，简述各自的工作原理。 8、电荷灵敏前放的“能量灵敏度”与“电荷灵敏度”的含意各是什 么？哪项指标与探测器的材料有关？ 10、噪声指标分哪两项给出？各自的含意是什么？这种描述噪声的办 法对使用者有什么方便之处？ 11、定性说明在前放使用过程中信号的堆积程度与哪些因素有关？ * 电压灵敏前置放大器的问题？ 谈到问题，首先要抓住主线：分析能谱测量中的问题时，主要要看对分辨率的影响。再具体的说，即输出电压是否能和输入的电荷量总是比较严格的成正比？哪些因素会对此有影响呢？ * 分析了电压灵敏放大器的问题，这种放大器实际中是否可以被用？用到那里？ 放大器能否被用？主要看放大器与探测器能否匹配。 如由于Ci的不稳定给输出电压带来1％的不稳定的话。这个放大器显然不能用于半导体探测器，但用于闪烁探测器完全没有问题。 * * 不算探测器：Ci 几个pf 探测器：几十－上百pf。 * * * * * * * * * * * 推导过程见《核电子学》P142。 * * * * 核仪器概论 * 第三章 前置放大器 第一节 概述 △ 探测器与前置放大器连接的等效电路图 若RiCiIo(t)的持续时间时， V(t)的幅度与Io(t)的积分成正比，即与入射粒子的能量