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- 2018-07-04 发布于河南
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探讨负载对驱动的要求
探讨负载对驱动的要求
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/感性/容性/电流型负载对驱动的要求,与大家分享,请工程师们看看有何不足,先看一个图吧,FET的等效模型是:?
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用它做成的半桥;就成了这样的一个电路:
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空载开关时;电路变成这两个工作模式:
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上图是高边开关;低扁关断状态。下图是低边开关;高边关断状态。两个状态组成一完整开关周期。这个现象会导致半、全桥空载时发热。它不仅发生在开路状态;而且还会发生在容性负载和硬开关电路里。适当的控制“开”的速度;防制上下之通是必要的。
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高端FET开关状态下;导通再关闭后,由于CDS1、CDS2的电容储能,Q1关断;输出仍为+Vbus。此时;Q1栅电压为0V,但是;Q1并没因此而承受电压。即Q1是零电压关断;关断过程;栅电压没有平台!没有弥勒效应区!经过一段死区时间后;低端FET导通,此时此刻;高端早已关断的FET的D-S终于承受了电压!虽然是空载;但在这过程中发生了一系列的电压电流变化,看图解
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高边FET导通后;向Cds2充电/Cds1放电,输出达到正电源电压。FET关断时;由于电容无放电回路(Q2断),电容电压保持不变,Q1零压管断(无弥勒效应)。Q1关后;仍由于电容做用而不承受电压。
用正驱动脉冲开启Q2,当栅电压达到门坎时;Q2开始通。Cds2短路放电;Cds1充电。显然;Q2是硬开通。Q1此时开始实质
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