晶体管原理与设计半导体器件答案.pptVIP

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2018-06-23 发布于浙江
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晶体管原理与设计半导体器件答案.ppt

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* 部分习题解答部分物理常数：第 2 章 1 、在 N 区耗尽区中，高斯定理为：取一个圆柱形体积，底面在 PN 结的冶金结面（即原点）处，面积为一个单位面积，顶面位于 x 处。则由高斯定理可得：当 x = xn 时，E(x) = 0，因此，于是得：（2-5a） 3 、 4 、 6 、 ND2 ND1 8、(1) (2) 20、 24、 PN 结的正向扩散电流为式中的 I0 因含 ni2 而与温度关系密切，因此正向扩散电流可表为于是 PN 结正向扩散电流的温度系数与相对温度系数分别为 31、当 N- 区足够长时，开始发生雪崩击穿的耗尽区宽度为：当 N- 区缩短到 W = 3?m 时，雪崩击穿电压成为： 34、 39、第 3 章 1、NPN 缓变基区晶体管在平衡时的能带图 NPN 缓变基区晶体管在放大区时的能带图 2、NPN 缓变基区晶体管在放大区时的少子分布图 3、 6、 7、 8、以 NPN 管为例，当基区与发射区都是非均匀掺杂时，由式（3-33a）和式（3-33b），再根据注入效率的定义，可得： 9 、 10、 (1) (2) (3) (4) 14、 15、 20、当忽略基区中的少子复合及 ICEO 时， 27、实质上是 ICS 。 22、使 NB NC ，这样集电结耗尽区主要向集电区延伸，可使基区不易穿通。 39、为提高穿通电压 Vpt ，应当增大 WB 和 NB ，但这恰好与提高 β 相矛盾。解决方法： 48、当 IE 很大时，这时 α0 α ；当 IE 很小时，这时 α0 α ；在 IE 很小或很大时，α 都会有所下降。在正常的 IE 范围内，α 几乎不随 IE 变化，这时 β0 与 β 也有类似的关系。 58、 *