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低能离子束方法制备重掺杂Fe的Si：Fe固溶体 第25卷第8期 2004年8月 半导体 CHINESEJOURNAIOFSEMICONDUCTORS VO1.25,NO.8 Aug.,2004 低能离子束方法制备重掺杂Fe的Si:Fe固溶体* 刘力锋陈诺夫张富强陈晨龙李艳丽杨少延刘志凯 (1中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京100083) (2中国科学院力学研究所国家微重力实验室,北京100080) 摘要:利用质量分离的低能离子束方法,以离子能量为1000eV,剂量为3×10cm,室温下往P型Si(111)单晶衬 底注入Fe离子,注入的样品在400C真空下进行热处理.俄歇电子能谱法(AES)对原位注入样品深度分析表明Fe 离子浅注入到P型Si单晶衬底,注入深度约为42nm.X射线衍射法(XRD)对热处理样品结构分析发现只有Si衬 底的衍射峰,没有其他新相.x射线光电子能谱法(XPS)对热处理样品表面分析发现Fe2p束缚能对应于单质Fe的 峰,没有形成Fe的硅化物.这些结果表明重掺杂Fe的Si:Fe固溶体被制备.电化学C—法测量了热处理后样品 载流子浓度随深度的分布,发现Fe重掺杂Si致使si的导电类型从P型转为n型,Si:Fe固溶体和Si衬底形成pn 结,具有整流特性. 关键词:硅;铁;低能离子束;重掺杂 PACC:8115J;7340L;6170T 中图分类号:TN304.7文献标识码:A文章编号:0253—4177(2004)08—0967—05 1引言 对于si—Fe系统的研究大多针对Fe的硅化物,尤 其是半导体性的硅化物p—FeSi..fl-FeSi.由于具有直 接带隙结构,禁带宽度约为0.85eV,是一种很好的光 电子材料,引起了人们的广泛兴趣[】].近几年来由于 自旋电子学的发展,使半导体学和磁学紧密联系在一 起.Si广泛应用于半导体工业,而Fe具有丰富的资源 和良好的磁性,因此对Si～Fe磁性的研究开始引起人 们的重视.在Si中引入磁性元素,使得非磁性的Si形 成磁体/非磁体杂和结构或者使非磁性Si成为稀磁半 导体,就可在已有的微电子器件中引入磁性的与自旋 有关的现象,这是非常有意义的.目前对于Si—Fe磁性 的研究包括两个方面,一方面是si上磁性Fe薄膜的 外延生长[4],另一方面是往Si中掺杂Fe,形成Si: Fe稀磁半导体(DMS)_7j. 由于过渡金属杂质在Si中的平衡固溶度都很 低].并且容易和Si反应形成过渡金属硅化物[g],Si :Fe稀磁半导体的制备非常困难.目前利用Fe/Si 固相反应扩散然后利用离子溅射去除硅化物层的方 法,制备了Fe杂质浓度达到百分之十几的Si:Fe 固溶体l_7],利用激光熔蒸的分子束外延法 (LAMBE)『】..和气源分子束外延法(GSMBE)Ell,122 制备了重掺杂过渡金属杂质Mn的Si:Mn薄膜, Mn含量达到了百分之十以上. 质量分离的低能离子束淀积技术可以准确控制 离子的能量和种类,由于离子能量较低,注入深度 浅,因此可以实现薄层内离子的重掺杂.本文报道利 用低能离子束技术,制备重掺杂Fe离子的si:Fe 固溶体. 2材料制备 实验采用具有质量分离的低能离子束淀积系 统.该设备具有高真空度,低淀积速率,利用磁质量 分析器提纯,可以使离子达到同位素纯等优点.设备 基本性能参数为:靶室静态真空度为5.3×l0Pa; 靶室动态真空度为1.2×10Pa;离子能量为3o～ 1000eV(连续可调);可分选原子量为1～207(H～ *国家自然科学基金(批准号:6Ol76001,国家重大基础研究发展规划(批准号:G2oooo365和G2OO2CB311905)资助项目 刘力锋男,1977年出生,博士研究生,主要从事磁性半导体材料的研究.Email:lfliu@red.semi.ac.cn 2003—07—23收到,2003—12-02定稿(92004中国电子学会 968半导体 Pb);衬底温度为300～1073K.实验用衬底为P型 Si(】11)基片,电阻率约为2～4Q?cm.Si衬底片经 四氯化碳,丙酮,酒精和去离子水超声波清洗后再用 5的HF漂洗,经过处理后的硅片通过机械手送人 真空室.注入前先对基片800C加热30min,以清除 表面的氧化层.离子由Freeman源电离产生,经过 加速电压引出由质量分析器得到所需的离子,减速 到合适的能量,聚焦后注入到衬底上.制备时衬底温 度为室温,离子能量为1000eV,离子剂量为3×10 cm一,注入过程中离子束流约15o~A.样品生长结 束后进行真空下400C热处理20min,所用设备是带 自动温度控制的退火炉. 3测试与分析 3.1组分分析 对原位注入的样品进行俄歇电子能谱(AES)测 试