RTS-双电测四探针测试仪用户手册.docVIP

RTS-9 配置 主机、测试台、探头、测试软件 价格：24000元 …... 7 软件使用.................... 8 5.3 测量样品基本操作流程............... 19 6.附录A:软件测试系统快捷键...........19 7.附录B:S-2A探针台探头更换指导........20  1. 概 述 RTS-9型双电测四探针测试仪测量原理通过采用四探针双位组合测量技术，将范德堡测量方法推广应用到直线四探针上。利用电流探针和电压探针的组合变换，进行两次电测量，其最后计算结果能自动消除由样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素所引起的，对测量结果的不利影响。因而在测试过程中，在满足基本条件下可以不考虑探针间距、样品尺寸及探针在样品表面上的位置等因素。这种动态地对以上不利因素的自动修正，显著降低了其对测试结果的影响，从而提高了测量结果的准确度。其优点是目前广泛使用的常规四探针测量方法根本办不到的。 使用本仪器时，由于不需要人为进行几何边界条件和探针间距的修正，因而对各种形状的簿膜材料及片状材料有广泛的适用性。 仪器适用于测量片状半导体材料电阻率以及硅扩散层、离子注入层、异型外延层等半导体器件和液晶玻璃镀膜层、电热膜……等导电膜的方块电阻(或称簿层电阻和面电阻)。 仪器由四探针测试仪主机、探针测试台、四探针探头、计算机等部分组成，通过RTS-9双电测四探针软件测试系统对四探针测试仪主机发出控制指令来获得用户需要的测量数据，主机在接收到指令后按照测量程序进行测量(如四探针头探头电流探针和电压探针的组合变换测量、电流量程切换、采集测量数据回主机等），并把采集到的数据反馈回计算机中加以运算、分析，然后把测试数据以表格，图形直观地记录、显示出来。用户可对采集到的数据在电脑中保存或者打印以备日后参考和查看，还可以把采集到的数据输出到Excel中，让用户对数据进行各种数据分析。 2. 技　术　指 标 测量范围 　 电阻率：10-4～105Ω.cm； 　 方块电阻：10-3～106Ω/□； 电导率：10-5～104 s/cm； 适合样品厚度：≤3.00mm； 可测晶片直径：140mmX150mm（配S-2A型测试台）； 200mmX200mm（配S-2B型测试台）； 400mmX500mm（配S-2C型测试台）； 恒流源 电流量程分为 1μA、10μA、100μA、1mA、10mA、100mA 六档，各档电流连续可调； 数字电压表 　 量程及表示形式：000.00～199.99mV；　　　　　　 分辨力：10μV； 输入阻抗：＞1000MΩ； 精度：±0.1%； 显示：四位半红色发光管数字显示；极性、超量程自动显示；　　 四探针探头基本指标 间距：1±0.01mm； 针间绝缘电阻: ≥1000MΩ； 机械游移率: ≤0.3％； 探针：碳化钨或高速钢材质，探针直径Ф0.5mm； 探针压力：5～16牛顿(总力)； 四探针探头应用参数 见探头附带的合格证，合格证含三参数项： C：探针系数； F：探针间距修正因子； S：探针平均间距； 模拟电阻测量相对误差（按 JJG508-87 进行） 0.01Ω、0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω、1000Ω、10000Ω≤0.3％±１字； 整机测量最大相对误差 （用硅标样片:0.01-180Ω.cm 测试）≤±4%； 整机测量标准不确定度 ≤4％； 外型尺寸（大约） 电气主机：460mm×320mm×100mm； S-2A型测试台：190mm×140mm×260mm； S-2B型测试台：300mm×210mm×400mm； S-2C型测试台：500mm×400mm×350mm； 仪器重量（大约） 电气主机：3.5kg； S-2A型测试台：2kg； S-2B型测试台：2.5kg； S-2C型测试台：4kg；； 标准使用环境 温度:：23±2℃； 相对湿度：≤65％； 无高频干扰； 无强光直射； *.注意：使用1μA量程时，允许有小于1.0nA的空载电流.最好在相对湿度小于50%时使用。 测 量　原　理 双电测组合四探针法采用了以下二种组合的测量模式（见图1）。 图1 将直线四探针垂直压在被测样品表面上分别进行I14V23和I13V24组合测量，测量过程如下： 进行I14V23组合测量： 电流Ｉ从１针→４针，从２、３针测得电压V23+； 电流换向，Ｉ从４针→１针，从２、３针测得电压V23-； 计算正反向测量平均值：V23＝(V23+ ＋V23- )／2； 进行I13V24组合测量： 电流Ｉ从１针→３针，从２、４针测