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自举型栅驱动IC原理简述及设计注意点 ? 编注： 本文主要描述自举型的驱动IC，些类驱动IC因些简单、实用而被广泛使用。 本文以MOSFET作为目标对象，由于IGBT的栅极使用MOSFET制作，故本文一定程度上适用于IGBT的驱动电路。 ? 什么是MOSFETs驱动器（MOSFET Driver）？ 1、? MOSFET能够完全导通，需要在其栅-源极（Vgs）之间施加一定的电压，在电机控制中，常用12~15V。这个电压和很多MCU或控制器的输出电平不兼容。 2、? 驱动桥的上半桥为N沟道MOSFET时，需要附加电路以保证MOSFET的栅-源极（Ugs）之间的电压达到使MOSFET完全导通的电平。 3、? MOSFET的结电容（可见MOSFET管的数据手册的相关数据：C、Q等）比较大，为了保护MOSFET的开关速度，施加在栅-源极的电压需要较大的瞬时驱动能力，以减少结电容的充放电时间，保护开关速度。 4、? 驱动桥等，MOSFET的控制信号常需要一定逻辑作硬件保护等，如死区、过流、欠压等保护。 5、? . 综合以上几个因素，应用分立元件搭建电路则需要多个器件完成。而MOSFET驱动器则集成了以上功能，只需外接几个器件即可。 ? 为什么要使用MOSFET的驱动电路推动MOSFET？ 第一，MOSFET具备一定的驱动能力，因为由于工艺原因，MOSFET的GS间存在是寄生电容。对电容充电（