锂电池保护ICCP测试规范.docVIP

锂电池保护 CP测试规范 测试流程： 测试VBG，trim VBG； 测试过充保护电压VOCnotrim，根据VOC值trim VRCD； 图1、trimming流程图 测试VBG，trim VBG； 将VSS接0V，V-接0V，VDD接4.3V； 测试BG的电压，得到VBG,trim VBG； 按照表1进行trimming。VBG理想=1.2V VBG Trim 1.3 ＞ VBGnotrim ≥ 1.1905 no trim 　 1.1905 ＞ VBGnotrim ≥ 1.171 f3 C-D 1.171 ＞ VBGnotrim ≥ 1.1515 f2 B-C 1.1515 ＞ VBGnotrim ≥ 1.132 f2+f3 　 1.132 ＞ VBGnotrim ≥ 1.1125 f1 A-B 1.1125 ＞ VBGnotrim ≥ 1.093 f1+f3 　 1.093 ＞ VBGnotrim ≥ 1.0735 f1+f2+f3 　 1.0735 ＞ VBGnotrim ≥ 1.054 f1+f2+f3 　 表1 测试VOCnotrim，然后根据下表进行trim： 将VSS接0V、TEST接高电平（单独一路，VDD电压）， V-接0.5V， 扫描VDD（从4.2Vto4.7V,step 50mV），当CO由“H”电平转“L”电平时；记录此时的VDD电压为V1 扫描VDD（从V1-50mV to V1,step 5mV），当CO由“H”电平转“L”电平时；此时的VDD即为VOCnotrim； 根据表2进行trim 每步之间需根据实际延迟时间设置等待时间 VOC Trim 4.31 ＞ VOCnotrim ≥ 4.29 no trim 　 4.29 ＞ VOCnotrim ≥ 4.27 f5 VDD-E 4.27 ＞ VOCnotrim ≥ 4.25 f6 E-F 4.25 ＞ VOCnotrim ≥ 4.23 f5+f6 　 4.33 ＞ VOCnotrim ≥ 4.31 f7 G-H 4.35 ＞ VOCnotrim ≥ 4.33 f8 H-GND 4.37 ＞ VOCnotrim ≥ 4.35 f7+f8 　 表2 测试方法： 1、IDD电流 VDD输入3.9V，VSS、V-接0V，CO、DO悬空，此时从电源流入VDD Pin的电流即为IDD。 2、Istandby 电流 VDD输入2V，VSS接0V，V-、CO、DO悬空，此时从电源流入VDD Pin的电流即为Istandby。 3、过充保护： （1）过充保护电压VDET1过充释放电压VREL1的测试，将V-，VSS脚接GND， VDD输入斜坡电压信号从4.0V到4.4V（每步之间需根据实际延迟时间设置等待时间），观测CO电压，当电压从VDD变化到0V，则进入过充保护状态。此时的VDD电压即为VDET1；然后输入斜坡电压从4.4V到3.9V（每步之间需根据实际延迟时间设置等待时间），观测CO电压，当电压从0V变为VDD时，过充保护状态释放，此时的VDD电压为过充释放电压VREL1。 注：测试过充保护电压VDET1时，可将TEST接tVDET1的测试，TEST悬空VDD输入阶跃信号（初始VL=3.6V ，VH=4.4V ，频率1Hz，占空比50%）tVDET1。 4、过放保护： （1）过放保护电压VDET2的测试过放释放电压VREL2的测试，将V-，VSS脚接GND，VDD输入斜坡电压信号从3V下降到2.2V（每步之间需根据实际延迟时间设置等待时间），观察DO电压，当电压从VDD变化到0V，则进入过放保护状态，此时的VDD电压即为VDET2；然后输入斜坡电压从2.2V到3.2V（每步之间需根据实际延迟时间设置等待时间），观测DO电压，当电压从0V变为VDD时，过放保护状态释放，此时的VDD电压为过充释放电压VREL2。 （2）过放保护延迟时间tVDET2的测试，将V-，VSS脚接GND，VDD输入阶跃信号（初始VH=3.6V ，VL=2.2V，频率10Hz，占空比50%）tVDET2。 5、过流保护： （1）过流保护电压VDET3的测试，将VDD输入3V直流电压,VSS脚接GND，从V-脚输入斜坡电压0V到0.2V，（每步之间需根据实际延迟时间设置等待时间）观察DO的电压，当电压从VDD变化到0V，则进入过流保护状 态，此时的V-输入电压即为VDET3。 （2）过流保护延迟时间tVDET3的测试，将VDD输入3V直流电压，VSS脚接GND，从V-脚输入阶跃信号（VL=0V, VH=0.2V，频率10Hz，占空比50%）tVDET3。 注：在Trimming过后测试过充保护及释放电压、过放保护及释放电压、过流保护电压