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直流与脉冲电镀Cu互连线的性能比较
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中心议题:
直流和脉冲电镀Cu互连线的性能比较
解决方案:
电阻率测量结果比较
XRD测量结果比较
AFM测量结果比较
SEM测量结果比较
随着芯片集成度的不断提高,Cu已经取代Al成为超大规模集成电路互连中的主流互连材料。在目前的芯片制造中,芯片的布线和互连几乎全部是采用直流电镀的方法获得Cu镀层。在直流电镀中,由于金属离子趋近阴极不断被沉积,因而不可避免地造成浓差极化。而脉冲电镀在电流导通时,接近阴极的金属离子被充分地沉积;当电流关断时,阴极周围的放电离子又重新恢复到初始浓度。脉冲电镀的主要优点有:降低浓差极化,提高了阴极电流密度和电镀效率;改善镀层物理性能;所得镀层具有较好的防护性;能获得致密的低电阻率金属沉积层。 脉冲电镀理论20世纪初就已被提出。近几年来,国外陆续发表了一些关于脉冲电镀在集成电路Cu互连应用中的研究。目前国内,针对脉冲电镀Cu的研究主要集中在冶金级电镀和印刷电路板(PCB)布线方面,几乎没有关于脉冲电镀应用于集成电路Cu互连的文献报道。而在集成电路(IC)制造采用的是成熟的直流电镀工艺。PCB中线路的特征尺寸约为几十微米,而芯片中Cu互连的特征尺寸是1μm,因此对亚微米级厚度Cu镀层的性能研究显得尤为必要。本文将针对集成电路芯片Cu互连技术,研究分别用脉冲电镀和直流电镀沉积得到的Cu镀层性能。 1实验采用 200mmp型(100)Si片,首先在Si片上PECVD(conceptone200mmdielectricsystem,Novellus)淀积800nmSiO2介质层。接着用PVD(Invoa200,Novellus)溅射25nm的TaN/Ta扩散阻挡层,然后用PVD溅射50nm的Cu籽晶层。在电解槽中,阳极为高纯度的Cu棒,外面包裹一层过滤膜,其作用是电镀时阻止固态不溶性杂质颗粒进入Cu镀层,影响镀层性能。将经PVD溅射好Cu籽晶层的200mmSi片切片后的小矩形片作为阴极(5cm×2cm)。电解槽底部靠近阴极处有一个磁力搅拌子,电镀时置于电解槽下面的磁力搅拌仪产生磁场,驱动搅拌子匀速转动,转速设定为400r/min,这可以使电镀过程中阴极附近电解液中的C
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