1第1章__半导体器件.ppt

1.4 场效应晶体管 场效应晶体管是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。 1.4.1 场效应晶体管的特点和分类 场效应晶体管特点： （1）体积小、重量轻、寿命长； （3）耗电省。 （2）输入回路的内阻高达　～　，噪声低，热稳定性好，抗辐射能力强； 场效应晶体管分类： 结型场效应晶体管和绝缘栅型场效应晶体管。 从导电沟道来区分，有N沟道和P沟道两种类型。 1.4.2 绝缘栅型场效应晶体管 绝缘栅型场效应晶体管通常由金属、氧化物和半导体制成，所以又称为金属—氧化物—半导体场效应管，简称为MOS管。 下面以N沟道增强型MOS管为例，介绍其结构、工作原理和特性曲线。 图1-20 N沟道增强型MOS管的结构示意图 以一块低掺杂的P型硅片为衬底，利用扩散工艺制出两个高掺杂的N区，并引出两个电极，分别为源极s和漏极d， 半导体之上制作一层SiO2绝缘层，再在SiO2之上制作一层金属铝，引出电极，作为栅极g 图1-21 N沟道增强型MOS管的符号 （2）工作原理 当 时，漏一源之间是两只背阳的PN结，漏极电流 a) b) 图1-22 对导电沟道的控制作用 a) ， b) 当 时，漏极电流为零。增大时，一方面耗尽层增宽，另一方面将衬底的自由电子吸引到耗尽层与绝缘层之间，形成一个N型薄层，称为反型层 a） b) c) 图1-23 对导电沟道和的影响 Uds=0时对导电沟道的影响。当 的一个确定值时，若在d—s之间加正向电压，则将产生一定的漏极电流 ,此时Uds的变化将影响导电沟道 当Uds增大到使 时，沟道在漏极一侧出现夹断点，称为预夹断 如果Uds继续增大，夹断区随之延长， (3)特性曲线与电流方程。 a) b) 图1-24 N沟道增强型MOS管的特性曲线 a)转移特性曲线 b)输出特性曲线 可变电阻区 恒流区 截止区 预夹断轨迹 2．N沟道耗尽型MOS管 （1）N沟道耗尽型MOS管结构及符号 图1-25 N沟道耗尽型MOS管的结构示意图 图1-26 N沟道耗尽型MOS管的符号 （2）工作原理及特性曲线。 a） b) 图1-27 N沟道耗尽型MOS管的特性曲线 a)转移特性 b)输出特性 当 时，反型层变宽，沟道电阻变小id增大；反之， 为负时，反型层变窄，沟道电阻变大， id减小。而当 从零减小到一定值时，反型层消失，漏一源之间导电沟道消失， id =0。此时的 称为夹断电压 1.4.3 场效应晶体管的主要参数 (1)低频跨导 . (2)最大漏极电流 (3)漏源击穿电压 (4)最大耗散功率 场效应管的主要参数除前面提到的饱和的输入电阻 、漏极电流 、夹断电压 和开启电压 外，还有以下重要参数。 1.4.4 场效应晶体管与晶体管的比较 （1）场效应晶体管栅极不取用电流，要求输入电阻高的电路应选用场效应晶体管。若信号源可以提供一定的电流，则可选用晶体管。晶体管的放大倍数大，利用晶体管组成的放大电路可以得到比场效应管更大的电压放大倍数。 （2）场效应晶体管只有多子参与导电，晶体管内既有多子又有少子参与导电，而少子数目受温度、辐射等因素影响较大，因而场效应晶体管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。所以在环境条件变化很大的情况下应选用场效应管。 （3）场效应晶体管的噪声系数小，所以低噪声放大器的输入级和要求信噪比较高的电路应选用场效应管。当然也可选用特制的低噪声晶体管。 （4）场效应晶体管的漏极与源极结构对称可以互换使用，互换后特性变化不大。内部衬底与源极相连不能互换；而晶体管的发射极与集电极互换后特性差异很大，因此只在特殊需要时才互换。 （5）场效应晶体管比晶体管的种类多，特别是耗尽型MOS管，栅一源电压可正、可负、可零，均能控制漏极电流。因而在组成电路时场效应管比晶体管有更大的灵活。 （6）场效应晶体管和晶体管均可用于放大电路和开关电路，它们构成了品种繁多的集成电路。但由于场效应晶体管集成工艺更简单，且具有耗电省、工作电源电