LED厂房的消防设计.docVIP

2、MOCVD设备自身采取的安全措施（设备安装说明书、操作指南等）； XXXX科技有限公司入住XXX技术开发区的《LED芯片生产项目》中，LED外延片生产使用MOCVD设备。该设备用NH3、H2、N2气体作为原材料。 MOCVD设备是用来生长半导体材料的重要设备，气体通道都使用高质量的不锈钢材料制成，管道全部采用焊接或VCR方式连接，以确保管道和腔体具有相当良好的气密性，气体泄漏的可能性极小；同时，MOCVD在现场安装时实施严格的气密性检查，确保设备系统的气密性能。不仅如此，MOCVD设备本身还设有氢气、氨气、氧气等检测装置，在设备运行的过程中，一旦检测到氢气、氨气泄漏，管道阀门自动关闭，并自动停止MOCVD设备工作。 此外，本公司使用的MOCVD设备的反应腔也采用了特殊的结构，反应工作室的外形尺寸650mm长×450mm宽×450mm高，但其使用氢气的内部腔体的宽度仅为150mm、高度不足20mm， 内部腔体中的气体处于常压工作状态，使MOCVD设备中的气体处于最小量，同时内部腔体外与反应工作室内壁之间充有氮气保护，进一步提高了设备的安全性。 由于在设备的构造方面采取了钢性防泄漏措施；并采用了高灵敏度的气体检测装置，万一发生泄漏立即自动关闭管道的阀门；同时生产过程中设备系统中的氢气量少，万一发生泄漏使其难以达到爆炸的必要条件、极力避免爆炸及火灾的危险。 3、MOCVD设备动力需求，环境要求； 日本公司 环境要求： 温度：22±2 ℃ 相对湿度：50±10% 动力需求 设备名称 单台设备用电 单台设备排风 氢气 普氮 纯氮 NH3 冷却循环水 3Φ200V (KW) 一般排风m3/h 压力Mpa 最大量(m3/h) 平均量(m3/h) 压力Mpa 最大量(m3/h) 平均量(m3/h) 压力Mpa 最大量(m3/h) 平均量(m3/h) 压力Mpa 最大量(m3/h) 平均量(m3/h) 入口温度 ℃ 压力Mpa 量m3/h 完成型1×3MOCVD设备 10 1000 0.3 2.1 0.96 0.4 1.2 1.2 0.4 2.7 1.44 0.3 1.2 0.6 22 　 4.5 200 1000 0.3 18.3 8.52 0.4 1.8 1.8 0.4 38.4 18 0.3 7.2 3.6 22 　 4.5 纯度99.9999997% 纯度99.99% 纯度99.9999997%  4、MOCVD设备布局要求（设备布置类型，特别是特气和设备的距离要求等，工艺辅助间、特气间、纯化间、废气处理间等）； Veeco K465 操作面前需要空间1828 mm； 操作面背面需要空间920 mm； 设备本身1500mm宽。 因此：MOCVD设备间距3300mm 5、MOCVD设备对工程的设计要求（设备厂家提供的技术规格书等）； Veeco K465 6、MOCVD设备有害气体泄露计算（设备的透视图纸等）； 7、MOCVD设备适用的规范条款，对规范条款的理解 （1）关于MOCVD工艺间是否采取防爆泄爆措施的规范 《电子工业洁净厂房设计规范》GB50472-2008 附录B“半导体器件、集成电路工厂的外延间、化学气相沉积间、清洗间、液晶显示器件工厂的CVD间，房间在设备密闭性良好，并设有气体或可燃蒸汽报警装置和灭火装置时，应按丙类设防。” 华延芯光（北京）科技有限公司入住北京经济技术开发区的《3英寸外延片和大功率LED芯片生产项目》建设地点在北京亦庄开发区，消防部门认可这条规范内容，设计中MOCVD工艺间靠外墙设置，在采取了上述安全措施的情况下，不做建筑泄爆。该项目不涉及MOCVD辅助间，气瓶柜放在特期间内，氨气纯化装置放在氨气储存间，氢气纯化装置放在氢气纯化间。 （2）关于MOCVD工艺间吊顶上是否需要设置可燃气体探测装置联锁事故排风的相关规范内容 a.. 《爆炸和火灾危险环境电力装置设计规范》GB50058-92 2.1.3条“三、防止爆炸性气体混合物的形成，或缩短爆炸性气体混合物滞留时间，宜采取下列措施： 4.对区域内易形成和积聚爆炸性气体混合物的地点设置自动测量仪器装置。” 《建筑设计防火规范》GB50016-2006 《电子工业洁净厂房设计规范》GB50472-2008 《》 8、MOCVD车间消防设计探讨（工艺条件的提出，各专业采取的相关措施，废气处理设备？）。 MOCVD工艺间按照丙类危险类别设计，在外延区设置氢气自动报警、自动切断装置及事故排风的前提下，外墙不考虑做泄爆墙； MOCVD工艺间不做电气防爆设计； MOCVD工艺间及其吊顶上设置可燃气体器联锁事故排风机。