中梯装置脉状体ρ_s异常计算.docxVIP

中梯装置脉状体ρs姓名：scnjlybd 学号：xxxxxxx专业：地球物理学【摘要】：有一位于均匀场中，电阻率为ρ2的脉状体（椭球体），其长半轴为c、短半轴为a、埋深为h，求在围岩介质为均匀各向同性，电阻率为ρ1的条件下，主剖面上椭球体的视电阻率分布。【关键词】：中梯装置；脉状体；视电阻率异常Calculation of Apparent Resistivity Anomalyof Intermediate Gradient Device【ABSTRACT】：An ellipsoid situated in the uniform field is provided of which resistivity is ρ2, semi-major axis is c, semi-minor axis is a, and burial depth is h. Now we know the resistivity of the medium in the homogeneous and isotropic surrounding rock is ρ1, and then seek for the apparent resistivity distribution on main section of the e【KEY WORDS】：intermediate gradient device; ellipsoid; apparent resistivity anomaly1 方法原理脉状体是野外实际条件下，常见的一种地质体。对于这类形状的矿体，我们可以通过对三轴椭球体的理论计算方法或通过模型实验的方法研究ρs异常的分布特征及规律。对寻找有一定走向长度的脉状矿体而言，当AB垂直矿体走向供电时，称为纵向中梯或常用中梯；当AB沿着（或平行）矿体走向供电时便称为横向中梯。这里主要简要说明前者。1.1 均匀电流场中椭球体的一次场解答及ρsFig SEQ Fig \* ARABIC 1均匀电流场中的椭球体 设在电阻率为ρ1的均匀各向同性无限岩石中有一电阻率为Fig SEQ Fig \* ARABIC 1均匀电流场中的椭球体在椭球坐标系中解拉普拉斯方程并引用极限条件，可求解椭球内部和外部一次场的电位表达式（何裕盛等,1978）为：U1U1式中：LL=2L中的积分下限t0x以上为全空间情况，当有平行于XOY平面的地面（z=h0）U1沿X方向的一次场电场强度为E1式中：g=?x之最大实根，其中h0x由（4）式可写出地面上沿X方向的视电阻率表达式为ρs对于b→∞情况，（5）式中的F1，g各量可以简化，以简化后的各量代入（5）式，便得到走向无限、柱轴平行行地面的椭球柱体ρs1.2 脉状体上的中梯ρs可以理解，脉状体矿体上中梯ρs当令（6）式中的ac时，可得到相当于直立薄脉的ρs表达式。如令ac,则得相当于水平薄脉的ρs表达式。对于倾斜薄脉的情况也可导出与其相应的ρs表达式。根据这些ρs表达式即可算出各种1.2.1 低阻脉状体上的中梯ρs对于直立铜板来说，在适当条件下，由于均匀电流场的方向与模型走向方向垂直，故在矿顶上视电阻率的变化不明显，近于和围岩（水）电阻率值（约为20Ω·m）相等。因此，用中间梯度法寻找直立良导薄矿脉是不利的。当矿体倾斜时，ρs则出现了明显异常。其特点是在倾斜方向上ρs明显降底，在反倾斜方向上则ρs有所升高，曲线呈不对称状。根据ρs有极小值的那一边可指明矿体的倾向，并能说明矿体为低阻体。这是因为矿体倾斜时，均匀外电流场的方向与矿体斜交，因此吸引电流的能力加强，致使倾斜方向的近地表处电流密度jMN减小（小于j01.2.2高阻脉状体上的中梯ρs在高阻脉状体上，不论产状如何均有大于背景值（ρ水）的ρ当高阻脉为倾斜产状时，由于排斥电流的能力减弱，所以ρs异常变小。曲线不对称且在倾斜方向上ρs下降较快，有明显低于当高阻脉的产状为水平时，由于排斥电流的能力最差，所以ρs异常最小。若脉的厚度很薄，甚至观测不到ρs异常。因此，用中间梯度法寻找高阻直立脉最有利，而寻找高阻水平脉最不利。对高阻情况，视电阻率极大值点约位于矿顶上，两侧有次级极小点（倾向一侧较明显）；而低阻体情况则不同，矿顶附近对应的视电阻率异常为零，两侧有量值相近的极小（倾向一侧）和极大（把倾向一侧）约呈倒像对应。视电阻率异常形态随2 实现过程2.1建立数学模型电阻率为ρ2的椭球体矿体，其长半轴为c、短半轴为a、埋深为h，其围岩介质为均匀各向同性，电阻率为ρ1ρs其中u?u2.2编程计算2.2.1 计算要求a. 求主剖面上ρsb. h=10,30,50m,ρ1=1.0Ωc. c=3.0,5.0,8.0(m) a=0.005,0.01,0.05(m),要求按顺序对应搭配