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電子資訊研究中心計畫名稱：毫米波Ka頻段射頻關鍵零組件研製研究者：張志揚經費來源：中山科學研究院 (國防科技學術合作協調小組)關鍵詞：單平面；倍頻器；Ka頻段本論文提出一種以單平面式Ka頻段倍頻器之方法，依非線性元件分為兩種類型電路，分別為二極體倍頻電路及FET倍頻電路。二極體倍頻電路依二極體的擺設製作了三種電路，依次為單平衡式同向二極體、反向二極體及寬頻反向二極體倍頻電路，同向、反向及寬頻反向二極體倍頻電路其輸出倍頻最大功率約為6~7dBm，轉頻耗損同向二極體之輸出從20~30GHz大約介於11~13dB之間，反向二極體之輸出從12~30GHz大約介於11~13dB之間，而寬頻反向二極體其轉頻耗損輸出從20~40GHz大約介於11~13dB之間，三種二極體倍頻電路其輸出端基頻功率壓制至少20dB以上，在輸出頻率20~50GHz之間。FET倍頻電路製作了二種電路型式，分為單一FET及單平衡式FET倍頻電路，單一FET及平衡式FET倍頻電路其最大倍頻輸出功率，大約分別為6~7dBm及8~9dBm。因為FET為主動元件所以製作的倍頻電路其轉頻耗損較小甚至有轉頻增益，單一FET倍頻電路之最大轉頻增益約為7~8dB，而平衡式FET倍頻電路最小之轉頻耗損約為0~1dB之間，而兩種電路在輸出頻率34~46GHz之間輸出端基頻功率壓制介於25~30dB之間。C8804588-CS-D-009-0