注以下是我自己做的习题的部分的答案并且把助教的作业的答案结合在一起了.docVIP

注：以下是我自己做的习题的部分答案并且把助教的作业答案结合在一起了，可能有不对的地方，大家自己改改吧！祝大家好运！1．第一个MOS晶体管是哪一年出现的，是谁做出的。为什么MOS晶体管比双极晶体管出现晚了十几年但是MOS集成电路的发展很快超过双极集成电路。1960年Kahng和Atalla制作的。MOS晶体管比起双极型晶体管结构简单、占用面积小，特别是MOS晶体管工作电流小，功耗低，且便于隔离，这些优点有利于集成化，因此发展的很快。2．什么是摩尔定律。摩尔定律是Intel公司创始人之一摩尔提出的集成电路发展趋势。他指出：一、特征尺寸不断缩小，每三年缩小倍；二、芯片面积不断增大，每三年增大1.5倍；三、器件和电路结构不断改进。3．什么是Scaling-down，它对集成电路的发展有什么重要作用。如果在缩小尺寸的过程中能够保证器件内部的电场强度不变，则器件性能就不会退化。由此CE等比例缩小定律提出：所有几何尺寸，包括横向和纵向尺寸，都缩小k倍；衬底掺杂浓度增大k倍；电源电压下降k倍。影响：–集成度倍增长–电路的速度增大k倍–功耗降低了倍对比：CV等比例缩小定律要求：所有几何尺寸都缩小k倍；电源电压保持不变；衬底掺杂浓度增大k2倍影响：–集成度增大倍–电路的速度提高倍–功耗k倍增大，功耗密度倍增加4．什么是LOCOS工艺，它有什么优缺点。硅的局部热氧化工艺，用来形成厚的场氧化层。优点：很好